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公开(公告)号:CN101609828B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200910142660.2
申请日:2009-06-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。如果在芯片背面形成贯通电极以及背面布线,则通过作为贯通电极的一部分的背面布线焊盘以及背面布线,在芯片背面形成凸部。以此为原因,在吸附芯片时引起空气的泄漏而引起芯片吸附力降低。在形成背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)的区域中,预先形成凹部(100)。在该凹部(100)内部设置背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)。由此,通过由于背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)厚度而产生的凸部,确保芯片(1C)背面的平坦性,而不会在处理芯片(1C)时造成吸附力降低。