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公开(公告)号：CN119404337A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047366.1
申请日：2023-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种充放电循环下的放电容量的下降得到抑制的正极活性物质。正极活性物质包含钴、镍及氧，其中，钴和镍的总和中镍所占的比例Ni/(Co+Ni)大于0.175且为0.215以下，上述正极活性物质当在充电到4.5V(vs.Li/Li+)的状态下利用使用CuKα1线的X射线粉末衍射进行分析时在2θ＝18.526±0.1°、2θ＝37.391±0.1°、2θ＝37.628±0.1°、2θ＝39.015±0.1°、2θ＝44.947±0.1°、2θ＝49.029±0.1°和2θ＝58.857±0.1°中的至少两个以上处具有衍射峰。
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公开(公告)号：CN112335024A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980039953.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786 , H01L33/16
Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。
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公开(公告)号：CN102969529A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC classification number: H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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公开(公告)号：CN117916976A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280058043.8
申请日：2022-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种用来实现可在低温下使用的二次电池的二次电池管理系统。该二次电池管理系统包括：在‑50度以上且0度以下进行充放电的二次电池；具有测量二次电池的电压的功能的第一电路；具有测量二次电池的电流的功能的第二电路；以及被输入来自第一电路的电压信息或来自第二电路的电流信息的控制电路，控制电路开始对二次电池的充电，控制电路根据从第一电路或第二电路输入的值计算表示电池特性的数据，控制电路检测数据的极大值，控制电路在检测出极大值时停止充电。
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公开(公告)号：CN117471334A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310900411.5
申请日：2023-07-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/385 , G01R31/367 , G01N23/2055 , G01N21/65 , G01N21/3563 , G01N23/2273 , G01N23/20 , G01N23/2251 , G01N23/085 , G01N21/84
Abstract: 提供一种简单地使有关二次电池的多个测量方法关联而进行评价的系统。提供一种电池评价系统、电池评价方法、程序及记录介质。在电池评价系统中，充放电装置被构成为在第一期间进行二次电池的充电和二次电池的放电中的一方或双方，第一测量装置被构成为在第一期间进行多次谱测量，运算部被构成为使用测量出的多个谱生成第一图表，运算部被构成为使用包括电压和测量出电压的时刻的数据组生成第二图表的数据，显示部被构成为同时显示第一图表及第二图表，电池评价系统被构成为第一图表和第二图表中的一方中设定第一范围并在第一图表和第二图表中的另一方中显示对应于第一范围的第二范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116457790A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180077756.4
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/16
Abstract: 提供一种具有大S值的晶体管或利用晶体管的亚阈值区域中的工作进行计算的半导体装置。该晶体管包括具有沟道形成区域的氧化物半导体层、具有隔着绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的区域的栅电极以及具有隔着铁电层与氧化物半导体层重叠的区域的第一导电层。尤其是，铁电层包含晶体，并且晶体具有呈现铁电性的结晶结构。
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公开(公告)号：CN115863782A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310118098.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M4/485
Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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公开(公告)号：CN115461889A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180032150.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13 , H01M4/02 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/62 , C01B32/194
Abstract: 提供一种劣化少的负极活性物质粒子。另外，提供一种新颖的负极活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的蓄电装置。另外，提供一种安全性高的蓄电装置。另外，提供一种新颖的蓄电装置。本发明的一个方式是一种电极，包括：活性物质；以及导电剂，其中，活性物质包含含有选自硅、锡、镓、铝、锗、铅、锑、铋、银、锌、镉和铟中的一个以上的元素的金属或化合物，导电剂包含石墨烯化合物，并且，石墨烯化合物包含氟。
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公开(公告)号：CN114586192A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080071374.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/131 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0566
Abstract: 提供一种循环特性优异的二次电池用正极。本发明是一种二次电池用正极，该二次电池用正极包括正极集流体层、基底膜、正极活性物质层及盖层，基底膜包含氮化钛，正极活性物质层包含钴酸锂，盖层包含氧化钛。通过将氮化钛用于基底膜，可以在确保充分的导电性的同时抑制正极集流体层的氧化或金属原子的扩散。通过将氧化钛用于盖层，可以抑制正极活性物质层和电解质的副反应或极活性物质的晶体结构的破坏来提高循环特性。
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公开(公告)号：CN114156427A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111049707.8
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/1391 , H01M10/058 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种二次电池的制造方法及二次电池。提供一种充放电容量大的正极活性物质的制造方法。另外，提供一种充放电电压高的正极活性物质的制造方法。另外，提供一种劣化少的正极活性物质的制造方法。正极活性物质通过如下步骤形成：形成包含锂、镍、锰、钴及氧的复合氧化物的工序；以及混合复合氧化物及钙化合物，然后以500℃以上且1100℃以下的温度加热2小时以上且20小时以下的工序。通过该加热，钙以合适浓度分布在正极活性物质的表层部中。
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