公开(公告)号：CN116457790A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077756.4

申请日：2021-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤优希 ,  国武宽司 ,  种村和幸

IPC: G06G7/16

Abstract: 提供一种具有大S值的晶体管或利用晶体管的亚阈值区域中的工作进行计算的半导体装置。该晶体管包括具有沟道形成区域的氧化物半导体层、具有隔着绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的区域的栅电极以及具有隔着铁电层与氧化物半导体层重叠的区域的第一导电层。尤其是，铁电层包含晶体，并且晶体具有呈现铁电性的结晶结构。

公开(公告)号：CN117280467A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280034039.8

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  伊藤优希

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供一种能够进行多点测量的半导体装置。半导体装置包括第一层及第一层上的第二层。第一层包括第一复用器、第二复用器、与第一复用器电连接的m个(m为1以上的整数)模拟开关、与第二复用器电连接的n个(n为1以上的整数)模拟开关，第二层包括m×n个晶体管。m个模拟开关都与n个晶体管电连接，n个模拟开关都与m个晶体管电连接。

公开(公告)号：CN115777239A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180047722.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  伊藤优希 ,  山崎舜平

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种包括第一半导体的氧化物半导体、第二半导体的硅及在第一方向上连续的多个存储单元的半导体装置，一个存储单元包括写入用晶体管及读出用晶体管。第一半导体及第二半导体在第一方向上延伸，第一半导体的一部分被用作写入用晶体管的沟道形成区域，第二半导体的一部分被用作读出用晶体管的沟道形成区域。第二半导体具有与包含第一金属元素的第一层接触的区域。