公开(公告)号：CN100414438C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN03156002.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN1488999A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03156002.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN102890404B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210211232.2

申请日：2012-06-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木理人 ,  河野拓也 ,  高桑真步 ,  福原和也

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F9/7042 ,  B29C2043/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及压印方法和压印系统。根据一个实施例，一种压印方法包括：在要处理的膜上涂敷光固性有机材料，使模板的凹凸图形接触所述光固性有机材料，在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下向所述模板施加力，通过在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下将光辐射到所述光固性有机材料来固化所述光固性有机材料，以及在光辐射之后将所述模板撤离所述光固性有机材料。施加到所述模板的力对应于在所述要处理的膜的表面和所述模板之间的间隙。

公开(公告)号：CN101042526B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710096371.4

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  河村大辅 ,  三本木省次

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70433

Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。

公开(公告)号：CN1971427A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610149472.9

申请日：2006-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  福原和也 ,  出羽恭子

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70441

Abstract: 本发明提供一种光掩模的判定方法，其包括：规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序；规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序；在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下，判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。

公开(公告)号：CN1641485A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510000307.2

申请日：2005-01-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F1/44 ,  G03F1/50 ,  G03F1/70

Abstract: 本发明中，曝光系统包括：将各格栅图形与窗口图形多次投影到晶片上同一区域的曝光装置、在此晶片上以窗口图形投影位置为基准来测定格栅图形投影像线宽尺寸变动的线宽测定部、据此尺寸变动评价依赖于掩模覆盖率的尺寸变动因素的覆盖率依赖性评价部；评价光刻工艺的方法包括：于晶片上涂布光刻胶、将具有格栅图形与窗口图形的检查图形分别投影到光刻胶投影区域上、基于窗口图形的投影位置测定格栅图形投影像的线宽尺寸变动、据此尺寸变动评价依赖于掩模覆盖率的尺寸变动因素。本发明还涉及杂散光检查掩模、评价曝光装置的方法、产生校正的掩模图形的方法以及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101042526A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710096371.4

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  河村大辅 ,  三本木省次

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70433

Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。

公开(公告)号：CN1288508C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03147290.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  田中聪 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G02B27/28 ,  G01M11/02

CPC classification number: G03F7/70566 ,  G03F7/706

Abstract: 本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。

公开(公告)号：CN1865890A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084026.4

申请日：2006-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也

IPC: G01M11/02

CPC classification number: G03F7/70675 ,  G03F7/70566

Abstract: 偏振状态检查方法包括：在具有平坦的表面和反射率随偏振方向而变化的格子图案的检查晶片上形成检查感光层；照明光使上述检查感光层曝光；测量上述检查感光层的感光变化；根据上述感光变化检查上述照明光的偏振状态。检查衬底包括：用照明光进行照射设置有间距小于等于上述照明光的波长的2倍的格子图案的检查晶片；配置在上述检查晶片上的检查感光层。半导体器件的制造方法除了上述内容还包括：根据上述偏振状态修正上述照明光的照明光学系统；在产品晶片上涂敷产品抗蚀剂膜；用上述照明光学系统把设置在产品掩模上的电路图形的像投影到上述产品抗蚀剂膜上；显影上述产品抗蚀剂膜，在上述产品晶片上形成与上述电路图形对应的产品抗蚀剂图形。

公开(公告)号：CN1661773A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510008834.8

申请日：2005-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  河村大辅 ,  三本木省次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70433

Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。