公开(公告)号：CN108604627A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680078556.X

申请日：2016-09-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  天野康弘 ,  池村和弘

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L24/48 ,  H01L33/005 ,  H01L33/46 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 陶瓷板具有平板形状，其中，在该陶瓷板上设有自周端面向内侧去除而成的缺口部，划分出缺口部的端面相对于陶瓷板的厚度方向倾斜。

公开(公告)号：CN101186792B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710194011.8

申请日：2007-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  近藤广行 ,  桶结卓司 ,  寺田好夫

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/568 ,  C08K3/34 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种可以制造半导体装置的耐热性胶粘带，其通过耐热性胶粘带很好地防止密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍。该半导体装置制造用耐热性胶粘带是在半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的载置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带、用密封树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。

公开(公告)号：CN1724588A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510091387.7

申请日：2005-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井弘文 ,  宇圆田大介 ,  寺田好夫 ,  船津麻美 ,  并河亮 ,  丸冈伸明 ,  石坂整 ,  天野康弘

IPC: C08L47/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种特别是可用于除尘的耐热性树脂，以及使用该树脂的耐热性优异的半导体装置的除尘用基板。其在高温下可以使用，而且可用于HDD用途和一部分半导体用途等即使产生有机硅污染的重大危害的场合。本发明提供在主链中具有丁二烯－丙烯腈共聚物作为一部分结构单元的耐热性树脂以及使用该树脂的除尘用基板。

公开(公告)号：CN103081068B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180042794.2

申请日：2011-08-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  井上刚一

IPC: H01L21/301 ,  B32B7/06 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。

公开(公告)号：CN101752217B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910246390.X

申请日：2009-11-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  B32B7/12

CPC classification number: B32B38/0012 ,  B32B37/12 ,  B32B2038/0028 ,  B32B2307/734 ,  B32B2309/027 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67011 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用薄膜，其是在层叠薄膜上贴合覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其特征在于，相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。

公开(公告)号：CN101617390B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880005676.2

申请日：2008-01-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  三隅贞仁 ,  松村健

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L23/3121 ,  C08G18/4045 ,  C08G18/6254 ,  C08L33/08 ,  C09J175/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供切割工序时的胶粘性及拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。

公开(公告)号：CN102029655A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297302.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  宍户雄一郎 ,  井上刚一

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜及使用该半导体装置用薄膜而得到的半导体装置，所述半导体装置用薄膜即使在低温状态下输送或长时间保存后，也可以防止各薄膜间的界面剥离或薄膜翘起现象、以及胶粘薄膜向覆盖薄膜的转印。一种半导体装置用薄膜，在切割薄膜上依次层叠有胶粘薄膜和覆盖薄膜，其中，在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T形剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，并且所述F1与所述F2满足F1＜F2的关系。

公开(公告)号：CN100535031C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510124931.3

申请日：2005-10-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  藤井弘文 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  天野康弘

IPC: C08G73/10 ,  C09D179/08 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。

公开(公告)号：CN102386054B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110270510.7

申请日：2011-09-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  盛田美希

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜以及半导体装置，在将所述半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹，所述半导体装置用薄膜为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜。一种半导体装置用薄膜，其为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，其特征在于，23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范围内。

公开(公告)号：CN102029655B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201010297302.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  宍户雄一郎 ,  井上刚一

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67132 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜及使用该半导体装置用薄膜而得到的半导体装置，所述半导体装置用薄膜即使在低温状态下输送或长时间保存后，也可以防止各薄膜间的界面剥离或薄膜翘起现象、以及胶粘薄膜向覆盖薄膜的转印。一种半导体装置用薄膜，在切割薄膜上依次层叠有胶粘薄膜和覆盖薄膜，其中，在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T形剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，并且所述F1与所述F2满足F1＜F2的关系。