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公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN117945340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311420546.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造包括两个半导体管芯的器件的器件和方法。该器件由第一管芯和第二管芯形成。第一管芯由半导体材料制成并集成电子元件。第二管芯具有主表面，形成图案化结构，并结合到第一管芯。内部电耦合结构将第一管芯的主表面电耦合到第二管芯。外部连接区域在第一管芯的主表面上延伸。封装件封装第一管芯、第二管芯和内部电耦合结构并且部分地围绕外部连接区域，外部连接区域部分地从封装件突出。
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公开(公告)号：CN113697766A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110545660.8
申请日：2021-05-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二沟槽通过所述第二结构层在所述掩模区域上方被形成，并且第三沟槽通过去除所述厚结构区域的选择性部分通过所述第一结构层和所述第二结构层形成。
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公开(公告)号：CN113351458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110247160.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
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公开(公告)号：CN112583372A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011052268.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及压电微机电谐振器设备以及对应的制造过程。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109511066B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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公开(公告)号：CN106553991A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610179771.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81C1/00325 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81C1/00015
Abstract: 本申请涉及对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件，其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52)，柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性，例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中，四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构，这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。
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公开(公告)号：CN113375854B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110209989.7
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , G·阿勒加托
Abstract: 本公开的实施例包括腔和机械过滤结构的用于环境感测半导体器件。用于环境感测的半导体器件包括：由孔横穿的盖；以及被机械地耦接到盖来界定腔的主体，腔被插入在主体与盖之间。主体包括半导体本体和耦接结构，耦接结构被插入在半导体本体与盖之间并且横向地界定通道，通道将腔和孔流体地耦接。通道执行比由孔执行的机械过滤更精细的机械过滤。
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公开(公告)号：CN117509531A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310965613.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电子器件包括：MEMS传感器器件，MEMS传感器器件包括将化学量或物理量转换为对应电学量的功能结构；帽，帽包括半导电衬底；以及将帽机械耦合到MEMS传感器器件的键合介电区域。帽还包括导电区域，导电区域在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分相对于半导电衬底横向布置并且被暴露，以便能够通过对应引线键合件电耦合到处于参考电势的端子，第二部分接触半导电衬底。
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公开(公告)号：CN113375854A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110209989.7
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , G·阿勒加托
IPC: G01L9/00
Abstract: 本公开的实施例包括腔和机械过滤结构的用于环境感测半导体器件。用于环境感测的半导体器件包括：由孔横穿的盖；以及被机械地耦接到盖来界定腔的主体，腔被插入在主体与盖之间。主体包括半导体本体和耦接结构，耦接结构被插入在半导体本体与盖之间并且横向地界定通道，通道将腔和孔流体地耦接。通道执行比由孔执行的机械过滤更精细的机械过滤。
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