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    掺杂半导体膜
    1.
    发明公开
    掺杂半导体膜 审中-实审

    公开(公告)号：CN116368599A

    公开(公告)日：2023-06-30

    申请号：CN202180069574.2

    申请日：2021-09-15

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  杨毅 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

    IPC: H01L21/033

    Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。

    用于应力均匀的RF偏压的区域控制的方法与设备
    3.
    发明公开
    用于应力均匀的RF偏压的区域控制的方法与设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN116762160A

    公开(公告)日：2023-09-15

    申请号：CN202080107085.7

    申请日：2020-11-16

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 孙立中 ,  杨毅 ,  陈建 ,  马冲 ,  杨晓东

    IPC: H01L21/683

    Abstract: 方法与设备被用来调节基板上的膜应力分布。一种设备可包括具有基座的PVD腔室，该基座被配置为在处理期间在位于基座的最上表面上的盖上支撑基板。该盖构造有多个电极，诸如，例如第一电极、第二电极和第三电极。第二电极位于该第一电极与该第二电极之间，并且与该第一电极和该第二电极电隔离。基板应力分布调谐器电连接至该第一电极、该第二电极和该第三电极，并且被配置为独立地调节至少该第二电极和该第三电极相对于RF接地的RF电压水平，以产生更均匀的膜应力分布。

    PVD溅射沉积腔室中的倾斜磁控管
    5.
    发明公开
    PVD溅射沉积腔室中的倾斜磁控管 审中-实审

    公开(公告)号：CN112955579A

    公开(公告)日：2021-06-11

    申请号：CN201880099083.0

    申请日：2018-11-14

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 孙立中 ,  杨晓东 ,  周玉飞 ,  杨毅

    IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/00

    Abstract: 一种腔室包含靶(16)及设置在靶(16)之上的磁控管(50)。磁控管(50)包含多个磁体(52,54)。磁控管(50)具有纵向维度和横向维度。磁控管(50)的纵向维度相对于靶(16)倾斜，使得磁体(52,54)和靶(16)之间的距离变化。当磁控管(50)在操作期间旋转时，磁控管(50)产生的磁场强度是磁体(52,54)产生的各种磁场强度的平均值。磁场强度的平均导致均匀的膜性质和均匀的靶侵蚀。

    用于控制处理腔室中的射频电极阻抗的方法及设备
    6.
    发明公开
    用于控制处理腔室中的射频电极阻抗的方法及设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN117441223A

    公开(公告)日：2024-01-23

    申请号：CN202180099146.4

    申请日：2021-06-21

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 建·杰森·陈 ,  杨毅 ,  马冲 ,  薛原

    IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  C23C16/00

    Abstract: 用于控制处理腔室中的等离子体的方法及设备利用提供RF接地路径的RF终端滤波器。在一些实施方式中，一种设备可包括：DC滤波器，被配置为电连接在DC电源与嵌入于静电卡盘中的电极之间，其中所述DC滤波器被配置为阻止来自DC电源的DC电流流经DC滤波器；及RF终端滤波器，被配置为电连接在该DC滤波器与处理腔室的RF接地之间，其中该RF终端滤波器被配置为相对于RF接地调整电极的阻抗。

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