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公开(公告)号：CN118974308A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032484.5
申请日：2023-02-14
申请人： 应用材料公司
发明人： 杨子浩 , 朱明伟 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 汪荣军 , 罗伯特·詹·维瑟 , 奈格·B·帕蒂班德拉
摘要： 本文所述的实施方式涉及制造钙钛矿膜装置的方法。该方法包括对在处理系统内的基板加热与除气；使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在基板的表面上方沉积第一钙钛矿膜层，使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在第一钙钛矿膜层上方沉积第二钙钛矿膜层；和对具有设置在基板上的第一钙钛矿膜层与第二钙钛矿膜层的基板退火。第一钙钛矿膜层包括第一钙钛矿材料。第二钙钛矿膜层包括第二钙钛矿材料。
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公开(公告)号：CN116802338A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180088967.8
申请日：2021-01-05
申请人： 应用材料公司
发明人： 乌代·派 , 薛原 , 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 纳文·查纳拉亚帕特娜·普坦纳 , 安库尔·凯达姆 , 杨毅
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 于此提供了用于使用改进的屏蔽件配置处理基板的方法及设备。例如，一种用于在物理气相沉积腔室中使用的处理配件包括：屏蔽件，包含具有最内径的内壁，内壁被配置成当设置在物理气相沉积腔室中时围绕靶材，其中屏蔽件的表面面积与内径的平面面积的比率为约3至约10。
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公开(公告)号：CN116649016A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180088968.2
申请日：2021-01-18
申请人： 应用材料公司
发明人： 维杰·班·夏尔马 , 薛原 , 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 杨毅 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 安库尔·阿南特·卡达姆
IPC分类号： H10N30/076
摘要： 一种压电器件包括：基板(12)和在该基板(12)上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电膜。该PMNPT膜包括：在基板(12)上的热氧化物层(20)；在热氧化物层(20)上的第一电极；在第一电极上方的种晶层(26)；在种晶层(26)上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电层(16)，以及在PMNPT压电层(16)上的第二电极。该PMNPT膜的压电系数(d33)大于或等于200pm/V。
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公开(公告)号：CN116195383A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080105019.6
申请日：2020-08-24
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 薛元 , 安库尔•凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 乌代·派 , 尼利斯·帕蒂尔
IPC分类号： H10N30/05
摘要： 揭示了用于在基板(201)上沉积用于压电应用的均匀层的方法及设备。从其中心到边缘具有均匀厚度的超薄种晶层(308)沉积在基板(201)上。与随后形成的压电材料层(312)的晶体结构紧密匹配的模板层(310)沉积在基板(201)上。种晶层(308)及模板层(310)的均匀厚度及取向继而促使生长具有改良的结晶度及压电特性的压电材料。
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公开(公告)号：CN112864304A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911101682.4
申请日：2019-11-12
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 薛元 , 乌代·派 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 安库·卡达姆
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/277
摘要： 一种压电装置，包括：基板；位于所述基板上的热氧化物层；位于所述热氧化物层上的金属或金属氧化物粘附层；位于所述金属氧化物粘附层上的下部电极；位于所述下部电极上的种晶层；位于所述种晶层上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电层；和位于所述PMNPT压电层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN117981060A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064752.7
申请日：2022-08-25
申请人： 应用材料公司
发明人： 维杰·班·夏尔马 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 苏克蒂·查特吉
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要： 描述了一种示例性基板处理方法。方法可包括在金属层上提供钪掺杂的氮化铝层。方法可进一步包括以蚀刻组成物蚀刻钪掺杂的氮化铝层的一部分。蚀刻组成物可包括大于或约80wt.％的磷酸。组成物可进一步具有特征在于蚀刻期间大于或约90℃的温度。
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公开(公告)号：CN112853286A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911100759.6
申请日：2019-11-12
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 安库尔·凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 薛元
摘要： 一种制造压电层的方法，包括：在将基板保持在低于400℃的温度的同时，通过物理气相沉积将第一结晶相的压电材料沉积到基板上；和在高于500℃的温度下对基板进行热退火，以将压电材料转变为第二结晶相。所述物理气相沉积包括在等离子体沉积腔室中从靶材溅射。
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