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公开(公告)号：CN116195383A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080105019.6
申请日：2020-08-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 薛元 , 安库尔•凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 乌代·派 , 尼利斯·帕蒂尔
IPC: H10N30/05
Abstract: 揭示了用于在基板(201)上沉积用于压电应用的均匀层的方法及设备。从其中心到边缘具有均匀厚度的超薄种晶层(308)沉积在基板(201)上。与随后形成的压电材料层(312)的晶体结构紧密匹配的模板层(310)沉积在基板(201)上。种晶层(308)及模板层(310)的均匀厚度及取向继而促使生长具有改良的结晶度及压电特性的压电材料。
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公开(公告)号：CN112864304A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911101682.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 薛元 , 乌代·派 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 安库·卡达姆
IPC: H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/277
Abstract: 一种压电装置，包括：基板；位于所述基板上的热氧化物层；位于所述热氧化物层上的金属或金属氧化物粘附层；位于所述金属氧化物粘附层上的下部电极；位于所述下部电极上的种晶层；位于所述种晶层上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电层；和位于所述PMNPT压电层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN116965180B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202180093651.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔
Abstract: 一种量子装置包括：基板，所述基板包括第一材料且包括所述基板的上表面；第一层，包含设置在所述基板的上表面上的第一材料的化合物；第二层，包含设置在所述第一层上的金属氧化物；第三层，包含设置在所述第二层上的贵金属；第四层，包含设置在所述第三层上的金属氧化物；第五层，包含设置在所述第四层上的压电材料；第六层，包含设置在所述第五层上的贵金属；第七层，包含设置在所述第六层上的能够量子发射的材料；和第八层，包含设置在所述第七层上的贵金属，且所述第八层和所述第七层中的至少一个被调整尺寸以实现来自第七层的量子发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117203364A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030272.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 尼利斯·帕蒂尔 , 维杰·班·夏尔马 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
IPC: C23C14/34
Abstract: 公开了一种气相沉积系统及其操作方法。所述气相沉积系统包括：真空腔室；电介质靶，所述电介质靶在所述真空腔室内，所述电介质靶具有前表面和厚度；基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内，所述基板支撑件具有与所述电介质靶的所述前表面间隔以形成工艺间隙的前表面；以及信号发生器，所述信号发生器连接到所述电介质靶以在所述真空腔室中产生等离子体，所述信号发生器包括功率源，所述功率源被构造为阻止在所述电介质靶中发生电荷积聚。所述方法包括向所述真空腔室内的电介质靶施加功率以在所述电介质靶与基板支撑件之间的工艺间隙中产生等离子体并脉冲施加到所述电介质靶的所述功率以阻止电荷积聚。
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公开(公告)号：CN116802338A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180088967.8
申请日：2021-01-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌代·派 , 薛原 , 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 纳文·查纳拉亚帕特娜·普坦纳 , 安库尔·凯达姆 , 杨毅
IPC: C23C14/34
Abstract: 于此提供了用于使用改进的屏蔽件配置处理基板的方法及设备。例如，一种用于在物理气相沉积腔室中使用的处理配件包括：屏蔽件，包含具有最内径的内壁，内壁被配置成当设置在物理气相沉积腔室中时围绕靶材，其中屏蔽件的表面面积与内径的平面面积的比率为约3至约10。
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公开(公告)号：CN116649016A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180088968.2
申请日：2021-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维杰·班·夏尔马 , 薛原 , 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 杨毅 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 安库尔·阿南特·卡达姆
IPC: H10N30/076
Abstract: 一种压电器件包括：基板(12)和在该基板(12)上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电膜。该PMNPT膜包括：在基板(12)上的热氧化物层(20)；在热氧化物层(20)上的第一电极；在第一电极上方的种晶层(26)；在种晶层(26)上的铌镁酸铅‑钛酸铅(PMNPT)压电层(16)，以及在PMNPT压电层(16)上的第二电极。该PMNPT膜的压电系数(d33)大于或等于200pm/V。
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公开(公告)号：CN116965180A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180093651.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔
Abstract: 一种量子装置包括：基板，所述基板包括第一材料且包括所述基板的上表面；第一层，包含设置在所述基板的上表面上的第一材料的化合物；第二层，包含设置在所述第一层上的金属氧化物；第三层，包含设置在所述第二层上的贵金属；第四层，包含设置在所述第三层上的金属氧化物；第五层，包含设置在所述第四层上的压电材料；第六层，包含设置在所述第五层上的贵金属；第七层，包含设置在所述第六层上的能够量子发射的材料；和第八层，包含设置在所述第七层上的贵金属，且所述第八层和所述第七层中的至少一个被调整尺寸以实现来自第七层的量子发射。
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公开(公告)号：CN112853286A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911100759.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 安库尔·凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 薛元
Abstract: 一种制造压电层的方法，包括：在将基板保持在低于400℃的温度的同时，通过物理气相沉积将第一结晶相的压电材料沉积到基板上；和在高于500℃的温度下对基板进行热退火，以将压电材料转变为第二结晶相。所述物理气相沉积包括在等离子体沉积腔室中从靶材溅射。
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