公开(公告)号：CN116195383A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202080105019.6

申请日：2020-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 ,  维杰·班·夏尔马 ,  薛元 ,  安库尔•凯达姆 ,  巴拉特瓦·罗摩克里希南 ,  乌代·派 ,  尼利斯·帕蒂尔

IPC: H10N30/05

Abstract: 揭示了用于在基板(201)上沉积用于压电应用的均匀层的方法及设备。从其中心到边缘具有均匀厚度的超薄种晶层(308)沉积在基板(201)上。与随后形成的压电材料层(312)的晶体结构紧密匹配的模板层(310)沉积在基板(201)上。种晶层(308)及模板层(310)的均匀厚度及取向继而促使生长具有改良的结晶度及压电特性的压电材料。

公开(公告)号：CN117203364A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030272.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 ,  尼利斯·帕蒂尔 ,  维杰·班·夏尔马 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南

IPC: C23C14/34

Abstract: 公开了一种气相沉积系统及其操作方法。所述气相沉积系统包括：真空腔室；电介质靶，所述电介质靶在所述真空腔室内，所述电介质靶具有前表面和厚度；基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内，所述基板支撑件具有与所述电介质靶的所述前表面间隔以形成工艺间隙的前表面；以及信号发生器，所述信号发生器连接到所述电介质靶以在所述真空腔室中产生等离子体，所述信号发生器包括功率源，所述功率源被构造为阻止在所述电介质靶中发生电荷积聚。所述方法包括向所述真空腔室内的电介质靶施加功率以在所述电介质靶与基板支撑件之间的工艺间隙中产生等离子体并脉冲施加到所述电介质靶的所述功率以阻止电荷积聚。