Patent search ap:("应用材料公司") AND inv:"周玉飞" Page 1

1.

发明公开
PVD溅射沉积腔室中的倾斜磁控管审中-实审

公开(公告)号：CN112955579A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201880099083.0

申请日：2018-11-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 , 杨晓东 , 周玉飞 , 杨毅

IPC: C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/00

Abstract: 一种腔室包含靶(16)及设置在靶(16)之上的磁控管(50)。磁控管(50)包含多个磁体(52,54)。磁控管(50)具有纵向维度和横向维度。磁控管(50)的纵向维度相对于靶(16)倾斜，使得磁体(52,54)和靶(16)之间的距离变化。当磁控管(50)在操作期间旋转时，磁控管(50)产生的磁场强度是磁体(52,54)产生的各种磁场强度的平均值。磁场强度的平均导致均匀的膜性质和均匀的靶侵蚀。

Patent Agency Ranking