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公开(公告)号：CN118528433A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410861663.6
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法，涉及多线切割技术领域，在多线切割的过程中，根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度，减小切割晶锭热膨胀量，控制夹紧装置的在X轴、Y轴、ZY轴合成方向的位移，使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。
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公开(公告)号：CN118952488A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411380914.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低多线切割机金刚线断线率的方法，涉及多线切割机的技术领域，在切割前，在待切割晶锭的底部粘接导向件，通过预定金刚线速度曲线进行晶锭切割；在切割时，金刚线先按照预定位置进入导向件内，防止金刚线因受阻力大发生滑移，一方面防止金刚线入刀位置产生偏差导致硅片入刀翘曲，另一方面通过导向条降低金刚线的振动，使得金刚线从导向条进入晶锭时相对位置被固定，金刚线与晶锭进行点点接触，减少接触面积，避免产生线弓，进而金刚线张力变化小，金刚线断线率降低。
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公开(公告)号：CN118219447A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410528159.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒切割的砂浆更换方法及砂浆更换装置，属于单晶硅技术领域，包括：采用游离磨料线切割技术对晶棒进行切割，并在切割过程中持续更换砂浆；根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量。本发明通过根据晶棒被切割的硅粉量以及碳化硅切割后的破碎量确定砂浆的更换量，并在切割过程中持续更换砂浆，将受到破碎的碳化硅更换为新的碳化硅，使得碳化硅的粒度分布均匀，从而减少硅片表面的损伤层深度，降低硅片表面粗糙度，使得加工出的硅片质量缺陷明显降低，提高了硅片的成品率。
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公开(公告)号：CN117382010A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311615589.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了控制晶棒切割热量的工艺方法，包括以下步骤：将晶棒固定在粘接有碳基树脂板的工件板上；当晶棒切割深度逐渐增大时，不断地控制切片加工仓内设置的控温装置温度、砂浆温度以及流量进行改变；本发明通过控温装置、碳基树脂板以及控制砂浆的变化，综合控制晶棒切片过程中产生的热量，可以有效的降低同一批次硅片的warp值，使用碳基树脂板以及控温装置来控制晶棒加工成过程的热量变化，随着切入晶棒的深度变化以及砂浆温度的变化，控温装置进行及时的调整，避免切断的晶棒温度变化过大，解决现有晶棒切割时热量波动不稳定的问题，现在的通过多个方式控制加工的热量，能更好的更稳定的控制加工的热量。
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公开(公告)号：CN119189082A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411501271.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种立式晶棒截断机，包括支撑组件、夹持组件、切割组件，支撑组件包括支撑立板、支撑架，切割组件包括防崩边部、切割部，夹持组件位于支撑架、切割部的上方，支撑立板位于支撑架的上方，防崩边部位于支撑架内，切割部位于防崩边部的上方，夹持组件、防崩边部、切割部位于支撑立板的同一侧，夹持组件与支撑立板连接，支撑立板的底部与支撑架的顶部一端连接，防崩边部的底部与支撑架的底部连接，切割部与支撑架滑动连接，夹持组件与防崩边部同轴，晶棒被夹持组件竖直夹持，夹持组件竖直移动，使得晶棒的底部与防崩边部接触，晶棒与防崩边部相互施加反方向的力，使得被切割成晶锭或者硅片的部分受到支撑力，不会向下倾斜，表面平整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119017573A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411372329.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种截断机截断精度控制方法，预先输入锯带厚度、分段晶棒长度或样片厚度的设定值；根据锯带实际厚度、分段晶棒长度或样片厚度输出实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度；根据实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度进行晶锭切割，得到截断晶锭或截断样片；对截断晶锭或截断样片进行长度或厚度测量，得到晶锭测量直径或样片测量厚度；根据晶锭测量直径或样片测量厚度、分段晶棒长度或样片厚度的设定值计算得到锯带磨耗量；根据锯带磨耗量、锯带厚度得到锯带实际厚度；根据锯带实际厚度重复上述S2~S6步骤截断晶锭或截断样片；如此截断晶锭或截断样片不会因锯带磨损量未知而导致输出实际晶锭截断长度或实际样片截断厚度偏大，使得精度提高。
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公开(公告)号：CN118422319A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410660934.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高电阻率单晶材料的制备方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，包括以下步骤：步骤S1：制备至少一批高阻值母合金晶片；其中，每一个批母合金晶片中晶片的电阻率偏差均位于预设范围内，且各批母合金晶片的平均电阻率均不小于0.005Ω·cm；步骤S2：从制备出的各批母合金晶片中选择一批母合金晶片，并根据所选择的该批母合金晶片的平均电阻率计算拉制单晶材料所需的重量；步骤S3：按照计算出的母合金晶片的重量进行称取，并投入硅熔体中进行单晶材料拉制。本方案能够提高高电阻率单晶材料打靶电阻率的准确性，进而提高高电阻率单晶材料的成品率。
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公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN117304997A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311280833.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种利用硅晶圆砂浆线切片废料制备固体燃料的方法及固体燃料，属于硅晶圆砂浆线切片废料利用技术领域；所述利用硅晶圆砂浆线切片废料制备固体燃料的方法，包括如下步骤：（1）在室温下将硅晶圆砂浆线切片废料与黏土混合均匀，得到混合物A；所述硅晶圆砂浆线切片废料为硅晶圆切片后的旧砂浆经压滤产生的固相压滤物；（2）将木屑与水加入到所述混合物A中，边加入边搅拌，使其充分融合，得到混合物B；（3）将所述混合物B采用模压法压紧成型，烘干，得到固体燃料。本发明充分利用了硅晶圆砂浆线切片中产生的废弃压滤物资源，制得的固体燃料具有燃烧效率高、污染小等优点。
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公开(公告)号：CN119260958A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411654776.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种区分晶棒原生缺陷区域的样片制备方法，涉及硅片缺陷检测技术领域，通过先将晶棒按长度进行截断得到端面为直径的第一晶锭，再将端面为直径的第一晶锭沿长度方向进行纵向切割得到矩形块，以为得到长度方向的圆形样片做准备，然后再在矩形块上进行套圆，得到端面为晶棒不同长度段的第二晶锭；将端面为晶棒不同长度段的第二晶锭进行切片，得到圆形样片；将圆形样片进行后处理得到待检测样片，得到的待检测样片为晶棒不同长度段方向的圆片，能够对晶棒长度方向不同区域的情况进行检测，了解完美单晶区域的大小、原生缺陷区域的位置，以根据检测结果调整拉晶的工艺或热场的结构，改善相应的缺陷。
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