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公开(公告)号：CN116876080A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310932768.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C30B29/36 , C30B25/16 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备，其中外延反应室的导流装置包括导流组件；导流组件设置在外延反应室内部，位于衬底托盘正上方且与供气口连接；导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件；导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题，达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。
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公开(公告)号：CN113897674A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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公开(公告)号：CN119041019A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN116240625A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310283886.4
申请日：2023-03-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的压力调节装置及工艺气体切换方法，该装置包括：流入管路，与反应室的进气端连接；排放管路，与反应室的排气管连接；压差检测组件，其两端分别与流入管路和排放管路连接，用于检测流入管路和排放管路之间的压差信息；载气供应组件，分别与流入管路和排放管路连接，用于为流入管路和排放管路供应载气；工艺气体供应组件，与流入管路和排放管路连接；切换组件，用于控制工艺气体供应组件为流入管路或排放管路供应工艺气体；回气组件，其两端分别与反应室的排气管和排放管路连接，用于将反应室的部分尾气导入排放管路；以及调节组件；该装置能够有效地减少载气使用量。
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公开(公告)号：CN119041019B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119121386A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411589110.6
申请日：2024-11-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种SiC外延片生长装置及方法，在上半月结构下表面位置增加一个可放置挡板的支撑结构，将碳化硅衬底放置在载片盘上，在外延生长前，将挡板放置在支撑结构上，并且挡板位于载片盘上方；在碳化硅衬底外延生长过程中，支撑结构通入外部电流能够对挡板加热升温，抑制3C‑SiC的沉积和颗粒生成，在若干次外延生长后，将挡板移出反应室，对挡板进行清洁处理，便于再次使用。
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公开(公告)号：CN113897674B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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公开(公告)号：CN113638043A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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公开(公告)号：CN116858854A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311131858.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , G01N21/63 , G01N21/84 , G01N27/22 , G01B21/00 , G01R31/26 , G06F17/10 , G06T7/00 , G06T7/70 , G06F17/18 , H01L21/66
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度的修正方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量、位置坐标和掺杂浓度数据，步骤S102，基于数量和位置坐标，结合预设的判断规则，判断掺杂浓度数据是否存在缺陷信息，若是，则执行步骤S103，若否，则执行步骤S104，步骤S103，对存在缺陷信息的掺杂浓度数据进行修正，得到修正后的掺杂浓度数据，步骤S104，确定不存在缺陷信息的掺杂浓度数据为修正后的掺杂浓度数据，通过对掺杂浓度存在缺陷信息的测量点进行掺杂浓度修正，得到修正后的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114775045A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210438710.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。
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