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公开(公告)号：CN119233653A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119170715A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411680402.0
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于光学超表面、二维光电探测器技术领域，具体提出一种基于缺陷结构化SU8超表面增强WS2光电探测器性能方法，利用纳米压印技术和RIE刻蚀工艺制备了缺陷结构化的SU8超表面薄膜，有效提升WS2光电探测器性能响应度R、探测率D*、量子效率EQE一个量级左右；制备流程简单便捷，提高了科研生产效率和器件制备良品率；在RIE刻蚀工艺中可以根据具体情况改变通入O2的时长，自由调控是否引入缺陷，以及引入缺陷的程度高低，使器件性能提升达到最大化；SU8超表面薄膜具备一定的封装效果，能够抑制WS2测试时的光氧化降解，提高WS2光电探测器暴露在空气中时的稳定性，同时不会降低WS2光电探测器的响应速度。
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公开(公告)号：CN118145593A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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公开(公告)号：CN119584698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411876263.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及电学器件的光电探测器结构领域，公开了一种六方氮化硼封装二维金属硫化物的光电探测器及制备方法。六方氮化硼h‑BN提供的化学惰性表面不仅有效防止环境降解，还能够改善二维金属硫化物材料与基材之间的界面质量，显著减少了因传统基材表面粗糙度和缺陷所导致的电荷散射，从而实现更高效的电荷传输。实验结果表明，h‑BN/MoS2/h‑BN封装带来的原子光滑表面在很大程度上促进了电荷载流子的高效传输，显著增强了二维金属硫化物材料的光电性能。通过消除衬底引起的表面粗糙度并最大限度减少缺陷状态，h‑BN有效降低了电荷载流子散射，进一步增强了响应性和光电流测量。h‑BN封装还对抑制激子湮灭起到了关键作用，对于改善光电性能至关重要。
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公开(公告)号：CN119233653B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118145593B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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