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公开(公告)号：CN117383507A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311556109.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。
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公开(公告)号：CN118954422A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976453.1
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及DHF清洗。本发明优点：在光刻时对晶圆边缘及步进标记位置进行涂胶保护，可以有效的避免因晶圆崩边或标记腔内有硅针等所引入颗粒。在刻蚀后使用等离子风对晶圆表面进行吹扫可以很大程度上的去除结构刻蚀时带来的颗粒，最后使用DHF溶液对晶圆表面进行清洗，不仅可以去除颗粒，还能够有效的避免结构的吸合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113670287B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111110197.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明提供一种MEMS半球陀螺仪及其制备方法，它包括由谐振器主体、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底组成的一种半球谐振陀螺仪，通过在谐振器主体上依次设置绝缘沟槽、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底以及金属pad点。本发明具有结构简单，封装测试方便的优点，利用正反面晶圆级键合工艺、poly‑TSV刻蚀填充工艺、吸气剂沉积工艺确保键合后的芯片长时间处在高真空工作环境，提高陀螺品质因数，有利于大批量、低成本微半球陀螺制备。
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公开(公告)号：CN116119603A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211515460.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本发明提供一种全硅三明治加速度计的工艺制造方法，它包括盖板晶圆制作步骤、结构晶圆制作步骤以及两块盖板晶圆与结构晶圆键合步骤，在盖板晶圆上制作氧化层防撞凸点和硅硅键合氧化层，采用金属Cr作为KOH腐蚀掩膜，可以保护硅硅键合氧化层不受损伤；在结构晶圆上制作绝缘槽和敏感质量块，盖板与结构上对通区域的制作均采用KOH湿法腐蚀工艺完成，上下盖板可通用，盖板上硅硅键合氧化层的厚度即敏感质量块与上下盖板之间的电容间隙，精确可控。本发明在确保了产品质量的同时简化了盖板晶圆制作步骤，整体工艺流程简单。
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公开(公告)号：CN117289566A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311329911.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。
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公开(公告)号：CN115676772A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341061.5
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，包括：a.在密闭腔室内抽真空度达到1Pa‑1.2Pa，温度40℃‑50℃；使MEMS器件的静电荷向介质层表面积聚；b.通入温度为40℃‑50℃的氮气和气态酒精的混合气体，使之与介质层表面充分接触，去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.通入温度为40℃‑50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后通入氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。本发明利用气体清洗的方式去除MEMS器件中积累的电荷，避免了MEMS器件电极之间发生漏电，提高了MEMS器件电极之间的绝缘电阻，提升MEMS器件的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN113670287A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111110197.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明提供一种MEMS半球陀螺仪及其制备方法，它包括由谐振器主体、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底组成的一种半球谐振陀螺仪，通过在谐振器主体上依次设置绝缘沟槽、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底以及金属pad点。本发明具有结构简单，封装测试方便的优点，利用正反面晶圆级键合工艺、poly‑TSV刻蚀填充工艺、吸气剂沉积工艺确保键合后的芯片长时间处在高真空工作环境，提高陀螺品质因数，有利于大批量、低成本微半球陀螺制备。
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