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公开(公告)号：CN112635575B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110041251.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/864 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116314038A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515862.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/10 , H01P1/00 , H05K1/11 , H05K1/02 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种V波段器件的表贴封装端口与气密封装，它包括基板（1），其特征在于：在基板（1）上设有两层接地金属层（5），在其中一个接地金属层（5）上设有一组芯片（2），在基板（1）内设有一组金属填充柱（6），在每个芯片（2）一侧均连通有共面波导（7）构成V波段端口，在两个芯片（2）通过第二共面波导（8）进行连通，在基板（1）上还连接有上盖。本发明结构简单、有使用方便，可批量生产，可靠性高，适应性强等优点。
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公开(公告)号：CN110531242B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN110687424A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910956345.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统，包括测试腔室，测试腔室内的底部设有升降支架，升降支架顶端设有介质冷却台，介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器，振荡器上方设有环形器；测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器；测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏；本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷，保证器件测试的准确性。
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公开(公告)号：CN106405362B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201610722805.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931899B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210409438.6
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有过流保护功能的直流电机转速控制电路，由内基准信号产生和整形电路、外基准信号整形电路、信号选通电路、鉴频鉴相电路、低通滤波电路、驱动电路、取样放大电路、比较电路、电机转速信号整形电路组成。本发明的显著优点是：1、本发明具有过流保护功能，可以起到过流保护作用；2、转速控制精度高，误差在±0.05%以内；3、效率高、功耗小；4、本发明对速度传感器（测速电机）和电机性能要求不高，结构简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117411439A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311404381.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供了一种高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法，包括同轴腔体内通过调节旋钮、馈电电极与金属杆来调节并固定二极管的位置；设置与同轴腔体相连且垂直的方形波导腔体，方形波导腔体一端设置波导口作为振荡源的输出端口，另一端在振荡源内部，设置短路活塞与调节旋钮，用于调节短路活塞位置用于改变方形波导腔体大小，在中心工作频率下，与二极管形成良好的阻抗匹配，使其产生谐振；设置通过2个圆形耦合孔与方形波导腔体相连的圆柱形高Q值稳频腔体，稳频腔体内设置活塞与稳频腔旋钮，稳频腔旋钮上设有螺纹通过旋转与弹簧弹力作用使活塞在稳频腔内滑动，通过活塞位置变化对稳频腔大小进行调节，通过高Q值稳频腔牵引实现振荡源输出频率的稳定。
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公开(公告)号：CN113823890B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111110310.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种高频大功率IMPATT管电参数调试装置，包括安装板，安装板上设有一组销安装孔和波导孔，销安装孔连接定位销；设置一个调节座，调节座一面设有与定位销配合的定位孔以及与工装件外轮廓配合的定位槽，另一面连接松紧度可调的夹持装置，夹持装置设有与波导孔位置对应的贯穿通孔槽，通孔槽内配合短路活塞；调节座通过定位销和定位槽定位工装件，再与安装板可拆卸固定连接，工装件的激励源馈线与激励源模块电学连接。本发明构简单、易于装配，结合短路活塞的机械调谐与激励源馈电的电调谐共同作用，实现IMPATT二极管的高频功率输出；通过调节夹持装置的松紧度，实现机械调谐粗细调节，整体操作简单、易行，提高调试效率。
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公开(公告)号：CN113823890A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111110310.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种高频大功率IMPATT管电参数调试装置，包括安装板，安装板上设有一组销安装孔和波导孔，销安装孔连接定位销；设置一个调节座，调节座一面设有与定位销配合的定位孔以及与工装件外轮廓配合的定位槽，另一面连接松紧度可调的夹持装置，夹持装置设有与波导孔位置对应的贯穿通孔槽，通孔槽内配合短路活塞；调节座通过定位销和定位槽定位工装件，再与安装板可拆卸固定连接，工装件的激励源馈线与激励源模块电学连接。本发明构简单、易于装配，结合短路活塞的机械调谐与激励源馈电的电调谐共同作用，实现IMPATT二极管的高频功率输出；通过调节夹持装置的松紧度，实现机械调谐粗细调节，整体操作简单、易行，提高调试效率。
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公开(公告)号：CN110687424B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910956345.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统，包括测试腔室，测试腔室内的底部设有升降支架，升降支架顶端设有介质冷却台，介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器，振荡器上方设有环形器；测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器；测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏；本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷，保证器件测试的准确性。
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