公开(公告)号：CN112271160A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011026810.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王冰茹 ,  张明浩 ,  徐昊 ,  陶利 ,  张伟 ,  高博

IPC: H01L21/763 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，包括以下步骤：取P型硅晶圆片作为基片，清洗基片，去除基片表面污垢；在基片顶面生长氧化层；在氧化层顶面生长氮化硅薄膜，氮化硅薄膜与氧化层共同作为介质层；通过光刻工艺在介质层制备隔离槽图形，腐蚀隔离槽图形区域的介质层；对隔离槽图形区域的基片进行刻蚀，形成隔离槽；在隔离槽的底面与侧壁生长二氧化硅氧化层；在隔离槽内进行多晶硅填充，并进行退火处理，去除多晶硅内部应力；通过CMP工艺，抛光去除氮化硅薄膜表面的多晶硅；采用湿法腐蚀去除介质层，得到所述低应力多晶硅半介质隔离槽；该方法突了SOI全介质隔离槽工艺复杂性，易实现隔离功能，且成本低，易于推广应用。

公开(公告)号：CN102107848A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910251524.7

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 刘善喜 ,  汪继芳 ,  熊爱武 ,  张明浩

IPC: B81C1/00 ,  H03K17/94

Abstract: 本发明涉及一种悬浮射频开关的制造方法，包括以下步骤：c.基片上制作氧化层；d.溅射TiW/Au种子层；e.光刻共面波导电镀模具；f.喷镀金共面波导层；g.去除电镀模具；h.腐蚀TiW/Au种子层；i.在金共面波导层上制作氮化硅绝缘层；j.将氮化硅绝缘层图形化；k.制作聚酰亚胺牺牲层；l.制作桥柱图形；m.腐蚀聚酰亚胺，露出金共面波导层的地线；n.去除桥柱图形掩膜层；o.固化聚酰亚胺牺牲层；p.磁控溅射铝膜层；q.制作AL膜桥的模具，刻蚀AL膜桥，获得AL膜桥开关的上电极；r.释放牺牲层。本发明的共面波导边缘整齐，改善了射频开关的电性能，制造的射频MEMS开关具有体积小、重量轻、损耗小的特点。

公开(公告)号：CN102107848B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910251524.7

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 刘善喜 ,  汪继芳 ,  熊爱武 ,  张明浩

IPC: H03K17/94 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种悬浮射频开关的制造方法，包括以下步骤：c.基片上制作氧化层；d.溅射TiW/Au种子层；e.光刻共面波导电镀模具；f.喷镀金共面波导层；g.去除电镀模具；h.腐蚀TiW/Au种子层；i.在金共面波导层上制作氮化硅绝缘层；j.将氮化硅绝缘层图形化；k.制作聚酰亚胺牺牲层；l.制作桥柱图形；m.腐蚀聚酰亚胺，露出金共面波导层的地线；n.去除桥柱图形掩膜层；o.固化聚酰亚胺牺牲层；p.磁控溅射铝膜层；q.制作AL膜桥的模具，刻蚀AL膜桥，获得AL膜桥开关的上电极；r.释放牺牲层。本发明的共面波导边缘整齐，改善了射频开关的电性能，制造的射频MEMS开关具有体积小、重量轻、损耗小的特点。

公开(公告)号：CN103531510A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310505350.9

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李苏苏 ,  丁继洪 ,  陈博 ,  姜楠 ,  吕东锋 ,  于航 ,  简崇玺 ,  张明浩 ,  陈计学 ,  郭群英

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/682

Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。