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公开(公告)号：CN102107848B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910251524.7
申请日：2009-12-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬浮射频开关的制造方法，包括以下步骤：c.基片上制作氧化层；d.溅射TiW/Au种子层；e.光刻共面波导电镀模具；f.喷镀金共面波导层；g.去除电镀模具；h.腐蚀TiW/Au种子层；i.在金共面波导层上制作氮化硅绝缘层；j.将氮化硅绝缘层图形化；k.制作聚酰亚胺牺牲层；l.制作桥柱图形；m.腐蚀聚酰亚胺，露出金共面波导层的地线；n.去除桥柱图形掩膜层；o.固化聚酰亚胺牺牲层；p.磁控溅射铝膜层；q.制作AL膜桥的模具，刻蚀AL膜桥，获得AL膜桥开关的上电极；r.释放牺牲层。本发明的共面波导边缘整齐，改善了射频开关的电性能，制造的射频MEMS开关具有体积小、重量轻、损耗小的特点。
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公开(公告)号：CN102110616A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910251523.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种在LTCC基板上实现薄膜多层布线的工艺方法，包括以下步骤：(1)基片界面处理；(2)基片清洗；(3)基板上溅射粘附层；(4)光刻导带版；(5)电镀导带；(6)光刻通孔柱版；(7)电镀通孔柱；(8)去除电镀模具；(9)光刻导带反版；(10)腐蚀粘附层；(11)介质膜加工；(12)重复步骤(3)～(11)，即可作出通孔柱互连的薄膜多层布线的LTCC基板。本发明的优点如下：实现了LTCC基板薄膜多层布线界面的可靠互连、以及多层布线之间的通孔可靠互连；解决了介质层龟裂的质量问题；通孔柱还可用于散热，对于高密度布线工艺是非常有利的，可实现六层薄膜布线，最小线宽间距20μm，最小通孔φ20μm。
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公开(公告)号：CN102107848A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910251524.7
申请日：2009-12-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬浮射频开关的制造方法，包括以下步骤：c.基片上制作氧化层；d.溅射TiW/Au种子层；e.光刻共面波导电镀模具；f.喷镀金共面波导层；g.去除电镀模具；h.腐蚀TiW/Au种子层；i.在金共面波导层上制作氮化硅绝缘层；j.将氮化硅绝缘层图形化；k.制作聚酰亚胺牺牲层；l.制作桥柱图形；m.腐蚀聚酰亚胺，露出金共面波导层的地线；n.去除桥柱图形掩膜层；o.固化聚酰亚胺牺牲层；p.磁控溅射铝膜层；q.制作AL膜桥的模具，刻蚀AL膜桥，获得AL膜桥开关的上电极；r.释放牺牲层。本发明的共面波导边缘整齐，改善了射频开关的电性能，制造的射频MEMS开关具有体积小、重量轻、损耗小的特点。
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公开(公告)号：CN102110616B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910251523.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种在LTCC基板上实现薄膜多层布线的工艺方法，包括以下步骤：(1)基片界面处理；(2)基片清洗；(3)基板上溅射粘附层；(4)光刻导带版；(5)电镀导带；(6)光刻通孔柱版；(7)电镀通孔柱；(8)去除电镀模具；(9)光刻导带反版；(10)腐蚀粘附层；(11)、介质膜加工；(12)重复步骤(3)～(11)，即可作出通孔柱互连的薄膜多层布线的LTCC基板。本发明的优点如下：实现了LTCC基板薄膜多层布线界面的可靠互连、以及多层布线之间的通孔可靠互连；解决了介质层龟裂的质量问题；通孔柱还可用于散热，对于高密度布线工艺是非常有利的，可实现六层薄膜布线，最小线宽间距20μm，最小通孔φ20μm。
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