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公开(公告)号：CN112313359B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201980040623.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/08 , C01G41/00 , C03C17/245 , C23C14/58
Abstract: 本发明提供一种复合钨膜及其制造方法，该复合钨膜在可见光区域内保持透明性，同时具有反射红外光而遮蔽的功能、即基于隔热的热线遮蔽功能，并且膜的平滑性高，进而提供利用这些功能的膜形成基材或物品。一种复合钨氧化物膜，以通式MxWyOz(其中，M是从碱金属、碱土金属、Fe、In、Tl、Sn中选择的1种以上的元素，W是钨，O是氧)所表示的组成为主成分，0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0，实质上不含有机物成分，波长
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公开(公告)号：CN117326592A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311298716.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明涉及复合钨氧化物膜及其制造方法以及具有该膜的膜形成基材和物品。该复合钨氧化物膜是以通式MxWyOz所表示的组成为主成分的复合钨氧化物膜，其中，M是从除Na以外的碱金属、碱土金属、Fe、Tl、Sn中选择的1种以上的元素，W是钨，O是氧，所述复合钨氧化物膜的特征在于，0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0，实质上不含有机物成分，是波长550nm时的透过率为50％以上、波长1400nm时的透过率为30％以下、并且波长1400nm时的反射率为35％以上的溅射膜和热处理膜，薄膜电阻小于105Ω/□。
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公开(公告)号：CN108698937B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201680083127.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/457 , C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化烧结体，其特征在于，含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn，并且，含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X)，并且，相对密度为95％以上且电阻率为1Ω·cm以下，所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法，其特征在于，通过在烧成炉内的氧浓度为70体积％以上的环境中，在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下，进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN106574359A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580034459.6
申请日：2015-06-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/457 , C04B37/021 , C04B37/023 , C04B41/80 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/406 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。
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公开(公告)号：CN102844134A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018036.7
申请日：2011-04-07
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/02 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C9/00 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108349816B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201680067703.3
申请日：2016-09-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化物烧结体，其特征在于，以原子数比Sn/(Sn+Zn)计为0.1以上且0.9以下的比例含有Sn，当将从Si、Ti、Ge、In、Bi、Ce、Al以及Ga中选出的至少一种作为第一添加元素M且将从Nb、Ta、W以及Mo中选出的至少一种作为第二添加元素X时，以相对于全部金属元素的总量的原子数比M/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.04以下的比例含有第一添加元素M，以相对于全部金属元素的总量的原子数比X/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.1以下的比例含有第二添加元素X，并且，相对密度为90％以上且电阻率为1Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN108698937A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083127.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/457 , C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化烧结体，其特征在于，含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn，并且，含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X)，并且，相对密度为95％以上且电阻率为1Ω·cm以下，所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法，其特征在于，通过在烧成炉内的氧浓度为70体积％以上的环境中，在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下，进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN102844134B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180018036.7
申请日：2011-04-07
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/02 , B22F3/14 , C22C1/0425 , C22C9/00 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN112313359A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980040623.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/08 , C01G41/00 , C03C17/245 , C23C14/58
Abstract: 本发明提供一种复合钨膜及其制造方法，该复合钨膜在可见光区域内保持透明性，同时具有反射红外光而遮蔽的功能、即基于隔热的热线遮蔽功能，并且膜的平滑性高，进而提供利用这些功能的膜形成基材或物品。一种复合钨氧化物膜，以通式MxWyOz(其中，M是从碱金属、碱土金属、Fe、In、Tl、Sn中选择的1种以上的元素，W是钨，O是氧)所表示的组成为主成分，0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0，实质上不含有机物成分，波长550nm时的透过率为50％以上，波长1400nm时的透过率为30％以下，并且波长1400nm时的反射率为35％以上。
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公开(公告)号：CN112105756A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980030631.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/06 , C01G41/00 , C03C17/245 , C23C14/34 , C23C14/58
Abstract: 本发明提供一种复合钨膜及其制造方法，该复合钨膜兼具在可见光区域的透明性、在红外光区域的红外光吸收性，具有实质的电波透过性，且除了将光吸收并遮蔽的功能、将光吸收并发热的功能、将光吸收并放出电子的功能之外还具有波长700～1200nm的光的透过性；进一步提供利用这些功能中的任一种或多种功能的膜形成基材或物品。一种复合钨氧化物膜，其为以通式MxWyOz(其中，M为由碱金属、碱土金属、Fe、In、Tl、Sn中选择的1种以上元素，W为钨，O为氧)所表示的组成作为主成分的复合钨氧化物膜，0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0，实质上不含有机物成分，薄膜电阻为105Ω/□以上，在波长550nm的透过率为50％以上，在波长1400nm的透过率为30％以下，并且在波长1400nm的吸收率为35％以上，在波长800nm的吸收率相对于在波长1400nm的吸收率为80％以下。
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