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公开(公告)号:CN108698937B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201680083127.1
申请日:2016-12-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/457 , C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段,上述氧化烧结体,其特征在于,含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn,并且,含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X),并且,相对密度为95%以上且电阻率为1Ω·cm以下,所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法,其特征在于,通过在烧成炉内的氧浓度为70体积%以上的环境中,在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下,进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。
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公开(公告)号:CN108349816A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680067703.3
申请日:2016-09-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的Sn-Zn-O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段,上述氧化物烧结体,其特征在于,以原子数比Sn/(Sn+Zn)计为0.1以上且0.9以下的比例含有Sn,当将从Si、Ti、Ge、In、Bi、Ce、Al以及Ga中选出的至少一种作为第一添加元素M且将从Nb、Ta、W以及Mo中选出的至少一种作为第二添加元素X时,以相对于全部金属元素的总量的原子数比M/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.04以下的比例含有第一添加元素M,以相对于全部金属元素的总量的原子数比X/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.1以下的比例含有第二添加元素X,并且,相对密度为90%以上且电阻率为1Ω·cm以下。
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公开(公告)号:CN108349816B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201680067703.3
申请日:2016-09-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段,上述氧化物烧结体,其特征在于,以原子数比Sn/(Sn+Zn)计为0.1以上且0.9以下的比例含有Sn,当将从Si、Ti、Ge、In、Bi、Ce、Al以及Ga中选出的至少一种作为第一添加元素M且将从Nb、Ta、W以及Mo中选出的至少一种作为第二添加元素X时,以相对于全部金属元素的总量的原子数比M/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.04以下的比例含有第一添加元素M,以相对于全部金属元素的总量的原子数比X/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.1以下的比例含有第二添加元素X,并且,相对密度为90%以上且电阻率为1Ω·cm以下。
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公开(公告)号:CN108698937A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680083127.1
申请日:2016-12-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/457 , C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段,上述氧化烧结体,其特征在于,含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn,并且,含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X),并且,相对密度为95%以上且电阻率为1Ω·cm以下,所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法,其特征在于,通过在烧成炉内的氧浓度为70体积%以上的环境中,在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下,进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。
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