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公开(公告)号：CN106574359B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201580034459.6
申请日：2015-06-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/457 , C04B37/021 , C04B37/023 , C04B41/80 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/406 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。
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公开(公告)号：CN108349816A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680067703.3
申请日：2016-09-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的Sn-Zn-O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化物烧结体，其特征在于，以原子数比Sn/(Sn+Zn)计为0.1以上且0.9以下的比例含有Sn，当将从Si、Ti、Ge、In、Bi、Ce、Al以及Ga中选出的至少一种作为第一添加元素M且将从Nb、Ta、W以及Mo中选出的至少一种作为第二添加元素X时，以相对于全部金属元素的总量的原子数比M/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.04以下的比例含有第一添加元素M，以相对于全部金属元素的总量的原子数比X/(Sn+Zn+M+X)计为0.0001以上且0.1以下的比例含有第二添加元素X，并且，相对密度为90％以上且电阻率为1Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN106103381A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014165.7
申请日：2015-01-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C04B35/16 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9623 , C23C14/08 , C23C14/3414
Abstract: 提供：制造稳定性、成膜稳定性、放电稳定性和机械强度优异的氧化物烧结体和其制造方法、以及使用该氧化物烧结体得到的具有中间折射率的氧化物膜。制造包含In和Si、且Si的含量以Si/In原子数比计为0.65以上且1.75以下、相对密度为90％以上、弯曲强度为90N/mm2以上的氧化物烧结体，利用使用该氧化物烧结体的溅射法制作折射率1.70以上且1.90以下的氧化物膜。
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公开(公告)号：CN103796970A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044506.1
申请日：2012-07-03
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C30B1/02 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。
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公开(公告)号：CN108698937B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201680083127.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/457 , C23C14/34
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有机械强度、高密度以及低电阻的特性且作为溅射靶使用的高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体及其制造方法。作为本发明的解决手段，上述氧化烧结体，其特征在于，含有以原子数比Sn/(Zn+Sn)计为0.75以上且0.9以下比例的Sn，并且，含有以相对于Sn和Zn和添加元素(X)的总量的原子数比X/(Sn+Zn+X)计为0.001以上且0.1以下比例的添加元素(X)，并且，相对密度为95％以上且电阻率为1Ω·cm以下，所述添加元素(X)是选自于Nb、Ta、W、Mo中的至少一种元素。上述制造方法，其特征在于，通过在烧成炉内的氧浓度为70体积％以上的环境中，在从700℃至烧结温度的升温速度为0.4℃/min以上且0.8℃/min以下、且烧结温度为1300℃以上且1460℃以下、以及10小时以上且30小时以内的条件下，进行烧成从而制造该高Sn浓度的Sn‑Zn‑O系氧化物烧结体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112514007A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050381.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供一种不含铅成分,而包含氧化钌粉末、玻璃粉末及硅石粉末的厚膜电阻体用组成物。所述玻璃粉末包含SiO2、B2O3及RO(R表示选自Ca、Sr、Ba中的1种以上的碱土类元素)，在所述SiO2、所述B2O3及所述RO的合计含量为100质量份的情况下，所述SiO2的含有率为10质量份以上50质量份以下，所述B2O3的含有率为8质量份以上30质量份以下，所述RO的含有率为40质量份以上65质量份以下，所述硅石粉末是比表面积为60m2/g以上300m2/g以下的非晶质硅石粉末，在所述氧化钌粉末与所述玻璃粉末的合计含量为100质量份的情况下，所述硅石粉末的含有率为1质量份以上12质量份以下。
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公开(公告)号：CN106574359A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580034459.6
申请日：2015-06-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/457 , C04B37/021 , C04B37/023 , C04B41/80 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/402 , C04B2237/403 , C04B2237/406 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供电弧、结节的产生极少的溅射靶及其制造方法。加工由氧化物烧结体构成的材料而得到平板状或圆筒形靶材(3、13)。此时，使用规定粒度的磨石，并根据该磨石的粒度对所述材料中成为溅射面(5、15)的面，实施一次以上的粗磨，然后，实施一次以上的清磨，从而将溅射面(5、15)的表面粗糙度控制在以算数平均粗糙度Ra计为0.9μm以上、以最大高度Rz计为10.0μm以下、并且以十点平均粗糙度RzJIS计为7.0μm以下。介由接合层(4、14)将所得到的靶材(3、13)与支撑本体(2、12)接合而制成溅射靶(1、11)。
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公开(公告)号：CN103796970B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280044506.1
申请日：2012-07-03
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C30B1/02 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。
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公开(公告)号：CN103717779A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280038069.2
申请日：2012-06-21
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C23C14/24 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/96 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够作为溅射靶或蒸镀用料片加以利用且在成膜中难以产生裂纹等的Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法。上述氧化物烧结体的特征在于，其含有以Sn/(Zn＋Sn)的原子数比计为0.01～0.6的锡，烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下，且在将基于使用CuKα射线的X射线衍射的Zn2SnO4相的（222）面、（400）面的积分强度分别设为I(222)、I(400)时，以I(222)/[I(222)＋I(400)]表示的取向度为0.52以上。由于该氧化物烧结体机械强度得到了改善，所以在加工烧结体时难以引起破损，并且在作为溅射靶或蒸镀用料片使用时，也难以在透明导电膜的成膜中引起烧结体的破损、裂纹的产生。
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公开(公告)号：CN112514007B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980050381.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供一种不含铅成分,而包含氧化钌粉末、玻璃粉末及硅石粉末的厚膜电阻体用组成物。所述玻璃粉末包含SiO2、B2O3及RO(R表示选自Ca、Sr、Ba中的1种以上的碱土类元素)，在所述SiO2、所述B2O3及所述RO的合计含量为100质量份的情况下，所述SiO2的含有率为10质量份以上50质量份以下，所述B2O3的含有率为8质量份以上30质量份以下，所述RO的含有率为40质量份以上65质量份以下，所述硅石粉末是比表面积为60m2/g以上300m2/g以下的非晶质硅石粉末，在所述氧化钌粉末与所述玻璃粉末的合计含量为100质量份的情况下，所述硅石粉末的含有率为1质量份以上12质量份以下。
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