电阻器用组合物、电阻器用糊膏及厚膜电阻器

    公开(公告)号:CN110291599B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201880011579.8

    申请日:2018-02-01

    Inventor: 川久保胜弘

    Abstract: 本发明提供未含铅成分、供形成具有电阻温度系数为±100ppm/℃以内且接近0的优异特性的电阻器用组合物、电阻器用糊膏,进一步地提供使用它们的厚膜电阻器。本发明的电阻器用组合物是含有未含铅的钌系导电粒子、与至少两种未含铅的玻璃粉末为主要构成成分的电阻器用组合物;其中,玻璃粉末中的一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si‑B‑Al‑Ba‑Zn‑O系玻璃粉末,其含有5质量%以上且12质量%以下的B2O3,而玻璃粉末的另一种是含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si‑B‑Al‑Ba‑O系玻璃粉末,其含有14质量%以上且25质量%以下的B2O3。

    导电性组合物、导体的制造方法以及电子部件的布线的形成方法

    公开(公告)号:CN110692109A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201880027948.2

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明提供一种与基板的粘附性以及导电性优异的导电性组合物。该导电性组合物等含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和羧酸系添加剂,以铜粉末为100质量份计,含有5.5质量份以上25质量份以下的氧化亚铜,无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料,硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌,钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌,以铜粉末为100质量份计,含有0.1质量份以上5质量份以下的羧酸系添加剂。

    导电性组合物以及端子电极的制造方法

    公开(公告)号:CN110582813A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201880027927.0

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明提供一种粘附性以及导电性优异的导电性组合物。该导电性组合物等含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和酸系添加剂,以铜粉末为100质量份计,含有9质量份以上50质量份以下的无铅玻璃料,上述无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料,硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌,钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌,以铜粉末为100质量份计,含有0.1质量份以上5.0质量份以下的上述酸系添加剂。

    正温度系数电阻体用组合物、糊剂、电阻体以及电阻体的制造方法

    公开(公告)号:CN112670045B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202011420907.5

    申请日:2017-10-19

    Inventor: 川久保胜弘

    Abstract: 本发明提供正温度系数电阻体用组合物、糊剂、电阻体以及电阻体的制造方法。本发明提供元件形状的限制少、可调整的电阻率的范围宽、在250℃~400℃的范围进行转换、高温下的可靠性高的正温度系数电阻体用的组合物、采用该组合物的电阻体糊剂、由该电阻体糊剂形成的电阻体及其制造方法。本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,含有金属氧化物系导电性粒子和具有400℃以下的玻璃化转变温度的玻璃粉末,本发明为正温度系数电阻体用组合物,其特征在于,该金属氧化物系导电性粒子为钌系氧化物粒子,进而为氧化钌粒子。

    厚膜导体形成用Cu膏组合物及厚膜导体

    公开(公告)号:CN107533877A

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201680022854.7

    申请日:2016-05-19

    CPC classification number: H01B1/00 H01B1/22 H05K1/09

    Abstract: 一种Cu膏组合物,能够提高通过将其涂布在基板的表面上并进行烧成而形成的厚膜电极、厚膜布线等厚膜导体的耐硫化性,能够提高电子部件、电子电路的可靠性。将Cu粉末、Ni粉末和有机载体进行混合以使相对于Cu粉末和Ni粉末的总计100质量份,Ni粉末为0.7质量份~20质量份,有机载体为5质量份~40质量份,得到Cu膏组合物。或者,除此之外,还混合有1质量份~15质量份的Cu2O粉末,得到Cu膏组合物。

    氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN103429537B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201280013181.0

    申请日:2012-06-15

    CPC classification number: C01G55/004 H01C7/003

    Abstract: 本发明提供一种氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体,该氧化钌粉末即便在钌的含有率低的情况下也可廉价地制造具有充分性能的片式电阻器、混合集成电路或电阻网络等的电子部件材料。具体而言提供了如下的氧化钌粉末、厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体糊状物:氧化钌(RuO2)粉末具有金红石型晶体结构,其特征为,以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm,且Ru含量为73质量%以上;厚膜电阻体用组合物是通过将由氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的;厚膜电阻体糊状物是通过将厚膜电阻体组合物分散于含有脂肪酸的有机载体中而成的厚膜电阻体糊状物,其特征为,相对于100重量份的氧化钌而言,脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

    氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN103429537A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201280013181.0

    申请日:2012-06-15

    CPC classification number: C01G55/004 H01C7/003

    Abstract: 本发明提供一种氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体,该氧化钌粉末即便在钌的含有率低的情况下也可廉价地制造具有充分性能的片式电阻器、混合集成电路或电阻网络等的电子部件材料。具体而言提供了如下的氧化钌粉末、厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体糊状物:氧化钌(RuO2)粉末具有金红石型晶体结构,其特征为,以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm,且Ru含量为73质量%以上;厚膜电阻体用组合物是通过将由氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的;厚膜电阻体糊状物是通过将厚膜电阻体组合物分散于含有脂肪酸的有机载体中而成的厚膜电阻体糊状物,其特征为,相对于100重量份的氧化钌而言,脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

    导电性组合物以及端子电极的制造方法

    公开(公告)号:CN110582813B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201880027927.0

    申请日:2018-04-20

    Abstract: 本发明提供一种粘附性以及导电性优异的导电性组合物。该导电性组合物等含有铜粉末、氧化亚铜、无铅玻璃料和酸系添加剂,以铜粉末为100质量份计,含有9质量份以上50质量份以下的无铅玻璃料,上述无铅玻璃料含有硼硅酸锌系玻璃料和钒锌系玻璃料,硼硅酸锌系玻璃料含有氧化硼、氧化硅、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前三位的氧化物成分为氧化硼、氧化硅以及氧化锌,钒锌系玻璃料含有氧化钒、氧化锌以及任意的其他成分、且含量在前两位的氧化物成分为氧化钒以及氧化锌,以铜粉末为100质量份计,含有0.1质量份以上5.0质量份以下的上述酸系添加剂。

    厚膜电阻体用组成物、厚膜电阻体用膏体及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN112514007A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201980050381.5

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 提供一种不含铅成分,而包含氧化钌粉末、玻璃粉末及硅石粉末的厚膜电阻体用组成物。所述玻璃粉末包含SiO2、B2O3及RO(R表示选自Ca、Sr、Ba中的1种以上的碱土类元素),在所述SiO2、所述B2O3及所述RO的合计含量为100质量份的情况下,所述SiO2的含有率为10质量份以上50质量份以下,所述B2O3的含有率为8质量份以上30质量份以下,所述RO的含有率为40质量份以上65质量份以下,所述硅石粉末是比表面积为60m2/g以上300m2/g以下的非晶质硅石粉末,在所述氧化钌粉末与所述玻璃粉末的合计含量为100质量份的情况下,所述硅石粉末的含有率为1质量份以上12质量份以下。

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