厚膜电阻用组合物、厚膜电阻糊以及厚膜电阻

    公开(公告)号:CN111133535B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN201880060634.2

    申请日:2018-09-20

    Inventor: 永野崇仁

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种厚膜电阻用组合物、厚膜电阻糊和厚膜电阻,所述厚膜电阻用组合物在电阻形成时使用由脉冲微调的调整手法,使得作为可调整的电阻值变化量的电阻值降低率为较大。所述厚膜电阻用组合物为含有由氧化钌与钌酸铅的混合粉末构成的氧化钌系导电物粉末和玻璃粉的厚膜电阻用组合物,进一步含有16质量%以上33质量%以下的银粉末,使得在将添加了有机载体的厚膜电阻糊进行烧结而形成厚膜电阻时,厚膜电阻中使用由脉冲微调的调整手法可调整的电阻值的降低率大于5%。

    氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN103429537B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201280013181.0

    申请日:2012-06-15

    CPC classification number: C01G55/004 H01C7/003

    Abstract: 本发明提供一种氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体,该氧化钌粉末即便在钌的含有率低的情况下也可廉价地制造具有充分性能的片式电阻器、混合集成电路或电阻网络等的电子部件材料。具体而言提供了如下的氧化钌粉末、厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体糊状物:氧化钌(RuO2)粉末具有金红石型晶体结构,其特征为,以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm,且Ru含量为73质量%以上;厚膜电阻体用组合物是通过将由氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的;厚膜电阻体糊状物是通过将厚膜电阻体组合物分散于含有脂肪酸的有机载体中而成的厚膜电阻体糊状物,其特征为,相对于100重量份的氧化钌而言,脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

    氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体

    公开(公告)号:CN103429537A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201280013181.0

    申请日:2012-06-15

    CPC classification number: C01G55/004 H01C7/003

    Abstract: 本发明提供一种氧化钌粉末、使用它的厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体,该氧化钌粉末即便在钌的含有率低的情况下也可廉价地制造具有充分性能的片式电阻器、混合集成电路或电阻网络等的电子部件材料。具体而言提供了如下的氧化钌粉末、厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体糊状物:氧化钌(RuO2)粉末具有金红石型晶体结构,其特征为,以X射线衍射法测定其(110)面得到的微晶直径为3至10nm,且Ru含量为73质量%以上;厚膜电阻体用组合物是通过将由氧化钌粉末形成的导电性微粒与玻璃粉末作为主要构成成分混配而成的;厚膜电阻体糊状物是通过将厚膜电阻体组合物分散于含有脂肪酸的有机载体中而成的厚膜电阻体糊状物,其特征为,相对于100重量份的氧化钌而言,脂肪酸的含量为0.1至10重量份。

    厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115516579A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180032116.1

    申请日:2021-04-30

    Abstract: 本发明的课题是,提供在使用硼硅酸铅玻璃作为绝缘材料的同时,外观上无裂纹异常,且具有足够的抗浪涌性能的厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有含氧化钌玻璃粉末和有机载体,前述含氧化钌玻璃粉末含有10质量%以上且60质量%以下的氧化钌,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

    透明导电膜及其制造方法、元件、透明导电基板及其器件

    公开(公告)号:CN102763174B

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201180009897.9

    申请日:2011-02-15

    Abstract: 本发明提供:通过低成本且简便的涂布法,特别是在低于300℃的低温加热来形成的兼备良好透明性、高导电性、且膜强度优良的透明导电膜,及其制造方法,即:在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序;从上述涂布膜干燥形成干燥涂布膜的干燥工序;对上述干燥涂布膜一边加热一边照射能量线以形成无机膜的加热并照射能量线的工序;根据需要,经由加热还原工序的各工序而形成透明导电膜;上述加热并照射能量线的工序为:将上述干燥涂布膜在露点温度-10℃以下的含氧气氛下一边加热至低于300℃的加热温度一边照射能量线,通过除去干燥涂布膜中所含的有机成分以形成致密地填充有以金属氧化物作为主成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层。

    透明导电膜及其制造方法、和元件、透明导电基板及器件

    公开(公告)号:CN102598160B

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201080049929.3

    申请日:2010-11-05

    CPC classification number: C09D5/24 C09D1/00 C23C18/14

    Abstract: 本发明提供通过低于300℃的低温加热,具有优异的透明性、导电性、膜强度、电阻稳定性的透明导电膜及其制造方法,所述制造方法包含:通过在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序、该涂布膜的干燥工序、由干燥涂布膜形成无机膜的加热能量线照射工序、对该无机膜进行等离子体处理的等离子体处理工序;加热能量线照射工序为在含氧气氛下一边加热至低于300℃一边进行能量线照射来形成无机膜的工序,等离子体处理工序为将该无机膜在非氧化性气体气氛下且在低于300℃的基板温度下进行等离子体处理,促进膜的无机化或者结晶化来形成致密地填充有以金属氧化物作为主要成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层的工序。

    厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115516578A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180031480.6

    申请日:2021-04-30

    Abstract: 本发明的课题是,提供在使用硼硅酸铅玻璃的同时,外观上无裂纹异常,且具有足够的抗浪涌性能的特别是低电阻用途优异的电阻体用厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有银粉末或钯粉末或者这两者的混合粉末、含氧化钌玻璃粉末、和有机载体,含氧化钌玻璃粉末含有10质量%以上且60质量%以下的氧化钌,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有3质量%以上且60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

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