公开(公告)号：CN1865490A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610059151.X

申请日：2006-03-15

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森本敏夫 ,  远北正和 ,  渡边宏幸

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明的目的是提供一种不含会造成环境污染的Cr的溅射靶，该溅射靶能形成具有很少颗粒的薄膜。本发明采用含有5－30wt％的钨；Al和Ti中的至少一种，其总含量为0.1－10wt％；氧含量为0.05wt％或更低；余量基本为Ni的溅射靶。优选溅射靶的平均颗粒粒径为100μm或更小，溅射靶的表面粗糙度Ra为10μm或更小。采用上述溅射靶进行溅射而得到的膜中的颗粒粒径为3μm或更大，颗粒数目小于2粒颗粒/cm2。

公开(公告)号：CN102844134A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018036.7

申请日：2011-04-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森本敏夫 ,  高桥辰也 ,  安东勋雄 ,  小向哲史 ,  高木正德 ,  佐藤惠理子 ,  南浩尚

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。

公开(公告)号：CN1321206C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410090057.1

申请日：2004-11-01

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 大迫敏行 ,  佐藤岩 ,  森本敏夫

IPC: C22C19/05 ,  C22C27/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种具有比Ni-Cr-Al-Si系合金更优良的高温稳定性，并且电阻温度系数几乎为0的金属电阻材料。采用含有Al：1.0～15.0重量%、稀土类元素：0.01～0.5重量%，其余部分实质上由Cr及Ni构成，Cr/Ni重量比为0.15～1.1的溅射靶材，用溅射法形成的电阻薄膜，对该电阻薄膜在大气中，于200℃～500℃、1～10小时的条件下进行热处理。

公开(公告)号：CN102844134B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180018036.7

申请日：2011-04-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森本敏夫 ,  高桥辰也 ,  安东勋雄 ,  小向哲史 ,  高木正德 ,  佐藤惠理子 ,  南浩尚

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。

公开(公告)号：CN105452535A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044604.4

申请日：2014-07-23

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 菅本宪明 ,  木部龙夫 ,  加茂哲郎 ,  岩佐刚 ,  川上哲史 ,  高田功 ,  森本敏夫

IPC: C25B9/02 ,  B22C9/06 ,  B22D21/00 ,  B22D25/02 ,  B22D25/04 ,  C25B1/00 ,  C25B11/04 ,  C25C7/02 ,  C25D17/10 ,  C25D17/12

CPC classification number: B22C9/06 ,  B22C9/22 ,  B22D21/00 ,  B22D21/005 ,  B22D25/04 ,  C25B1/00 ,  C25B9/02 ,  C25B11/04 ,  C25D17/10 ,  C25D17/12

Abstract: 抑制在电解时由电阻引起的温度上升，防止阳极的脱落。在由具有100℃～250℃的熔点的低熔点金属或低熔点合金形成的电极板的一边，以面接触的方式安装长度为该一边的长度以上、且由熔点比电极板的熔点高的金属或合金形成的保持构件。

公开(公告)号：CN1614059A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410090057.1

申请日：2004-11-01

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 大迫敏行 ,  佐藤岩 ,  森本敏夫

IPC: C22C19/05 ,  C22C27/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种具有比Ni－Cr－Al－Si系合金更优良的高温稳定性，并且电阻温度系数几乎为0的金属电阻材料。采用含有Al：1.0～15.0重量％、稀土类元素：0.01～0.5重量％，其余部分实质上由Cr及Ni构成，Cr/Ni重量比为0.15～1.1的溅射靶材，用溅射法形成的电阻薄膜，对该电阻薄膜在大气中，于200℃～500℃、1～10小时的条件下进行热处理。