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公开(公告)号：CN103208740A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310003877.1
申请日：2013-01-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法，一种激光二极管包括：半导体基底，由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面；外延层，包括形成激光的光波导的发光层，并且形成在半导体基底的半极性面上，所述外延层使得激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在光波导面上的投影方向以在大约8°至大约12°或者大约18°至大约29°的范围内的角度倾斜，所述光波导面包括激光的传播方向并且与半极性面平行；两个谐振器端面；第一电极；以及第二电极。
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公开(公告)号：CN103959579A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059413.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/301 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3013 , H01L33/0062 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/04
Abstract: 根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。
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公开(公告)号：CN104576869B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm‑3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
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公开(公告)号：CN104916751A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510102739.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/737 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01L33/16 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法，氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时，该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。
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公开(公告)号：CN104576869A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851928B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111109431.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN110785901B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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公开(公告)号：CN111670523A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980011047.9
申请日：2019-02-06
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件设置有通过层压以下元件而获得的层压结构：通过层压多个薄膜而形成的第一光反射层41；发光结构20；以及通过层压多个薄膜而形成的第二反光层42。通过层压第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22获得发光结构。在发光结构20中，平行于由有源层23占据的虚构平面形成光吸收材料层71(32)。Lop的值不同于Λ的值，并且第二光反射层42的厚度Tave具有不同于第二光反射层42的理论厚度TDBR的值，其中，λ0是振荡波长，neq是从有源层到光吸收材料层等效折射率，Lop是从有源层到光吸收材料层的光学距离，并且Λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于零的整数)。
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公开(公告)号：CN106663919B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580031161.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。
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公开(公告)号：CN109923742A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。
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