III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法
摘要:
本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法,氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时,该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。
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