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公开(公告)号：CN107360731B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN102272937B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080002210.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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公开(公告)号：CN108292689A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069323.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0352
Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。
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公开(公告)号：CN102893410A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180018806.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
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公开(公告)号：CN102549764A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080045441.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/208
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于提供可容易制造所期望的厚度的良好的半导体层的半导体层的制造方法、光电转换装置的制造方法和半导体层形成用溶液。为了达成该目的，首先制成含有金属元素、含硫属元素的有机化合物和路易斯碱性有机化合物的原料溶液。然后，通过对所述原料溶液进行加热，从而制成多个微粒。该多个微粒含有作为所述金属元素和包含在所述含硫属元素的有机化合物中的硫属元素的化合物的金属硫属化物。随后，使用分散有所述多个微粒的半导体层形成用溶液来形成半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102362339A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080012699.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。
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公开(公告)号：CN102272937A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080002210.4
申请日：2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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公开(公告)号：CN108292689B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680069323.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352
Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。
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公开(公告)号：CN107360731A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN102362339B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080012699.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。
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