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公开(公告)号：CN118431277A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410425687.7
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明涉及一种高热可靠性单片集成硅基GaN半桥电路及其制备方法，在硅基GaN功率器件制备完成后经晶圆减薄，键合到半绝缘型SiC衬底上，再经凹槽刻蚀、介质隔离而得。本发明实现高低边硅基GaN功率器件的完全隔离，彻底解决硅基GaN功率器件半桥电路单片集成面临的衬底串扰问题，同时因半绝缘型SiC材料热导率高，该半桥电路具有更高热可靠性，在大功率高频电力电子领域具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN118153502A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410261190.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , H01L29/78 , H01L29/06 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构，提供半导体器件结构，增大场限环环宽度至阻断电压随环宽度增大的速率小于等于预设速率；将场限环分为全耗尽区域和未全耗尽区域，设置未全耗尽区域场限环环间距从内向外等差递增，调整递增公差至主结电场与末环结电场相等或差值最小；减小未全耗尽区域内场限环环宽度至最小。本发明调节整体场限环参数增大末结电场提高电场均匀性，再分别调节未全耗尽和全耗尽区域的场限环参数降低末结电场增大带来的曲率效应，进一步提高电场均匀性，提高阻断电压利用率。本发明受2022年国家重点研发项目资助(项目编号：2022YFB3604300，课题编号：2022YFB3604303，项目名称：GaN基纵向功率电子材料与器件研究)。
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公开(公告)号：CN116145238A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211734788.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
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公开(公告)号：CN115512959A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211128091.8
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低漏感的平面变压器绕组绕制方法及平面变压器，其中绕制方法包括：根据原边绕组和副边绕组的匝数关系，计算分组参数，并基于分组参数进行分组，通过分组交错绕制得到低漏感的平面变压器。本发明通过合理排布原边绕组和副边绕组的位置，能够使任意匝数比的平面变压器获得最小漏感，降低了变压器损耗，提升系统效率。
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公开(公告)号：CN111739937A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553372.2
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/51 , H01L21/285 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于高k栅介质与低温欧姆接触工艺的SiC MOSFET的制备方法，包括：将外延N型轻掺SiC层的SiC衬底清洗；在SiC衬底的外延层使用离子注入和退火的方式形成N+源区、P型沟道区和P+终端区；在外延层沉积高k栅介质层，然后沉积栅金属，并通过刻蚀图形化；在外延层沉积钝化层介质，并通过刻蚀图形化；在外延层和重掺衬底沉积低温欧姆接触金属层，退火形成欧姆接触；在外延层和重掺衬底加厚金属。该方法降低了栅界面处的碳簇密度，提高了沟道迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739799A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553375.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二层钝化层进行刻蚀，预处理后沉积栅极金属；在器件表面沉积第三层钝化层，退火，然后刻蚀，沉积加厚金属；沉积第四层钝化，将需要制版连线部位上的钝化层刻蚀，漏出加厚金属，并制备连线。该方法简单、易操作、成本低廉，能够有效减小器件漏电。
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公开(公告)号：CN107527803B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710737098.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介质层。通过上述技术方案，本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质薄膜与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明的利用ALD技术形成的栅介质层临界击穿强度高，漏电小，具有较高的介电常数，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿。
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公开(公告)号：CN105129788B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510599025.2
申请日：2015-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面形成石墨烯层；然后将生长有所述石墨烯层的衬底置于ALD腔体中，并将所述ALD腔体温度升至设定值，并通入至少一个循环的去离子水，提高吸附在所述石墨烯层表面的H2O/O2分子对中H2O的浓度，从而使H2O/O2分子对中O2的浓度相对降低，形成N型石墨烯层。本发明的水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法，不会破坏石墨烯晶体结构，易于硅基集成，简单高效，且该法制备的N型石墨烯层具有可逆性，在高温退火下可被修复形成P型石墨烯层或本征石墨烯层。
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公开(公告)号：CN103618525B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310656921.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明提供一种电流模比较器，所述电流模比较器用于接收第一路电流和第二路电流，输出比较结果电压信号。所述电流模比较器至少包括：第一差模电流产生电路，用于接收第一路电流和第二路电流，输出第一路电流和第二路电流的差值；第二差模电流产生电路，用于接收第一路电流和第二路电流，输出第二路电流和第一路电流的差值；AB类输出级电路，与所述第一差模电流产生电路以及所述第二差模电流产生电路相连，用于使所述第一差模电流产生电路和所述第二差模电流产生电路中的一路差模电流产生电路处于工作状态，同时另一路差模电流产生电路处于关断状态，从而实现比较结果输出。本发明结构简单，功耗极低，系统带宽大，比较速度快。
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公开(公告)号：CN105680107A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610150614.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/42 , H01L27/02 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/02 , H01L27/092 , H01M10/42
Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma-delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma-delta ADC的接口电路-斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。
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