-
公开(公告)号：CN118645429A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410250009.1
申请日：2024-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统，能够抑制蚀刻的形状异常。所提供的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有层叠膜和层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序(b)，使用从第一处理气体生成的等离子体对层叠膜进行蚀刻，来在层叠膜形成凹部；以及工序(c)，向层叠膜的凹部供给氟化氢。
-
公开(公告)号：CN114175214B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN110029325B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910022599.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。
-
公开(公告)号：CN116169018A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310013829.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN112786440A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011215778.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447515A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010829812.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，当蚀刻对象包含硅Si时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，化合物包含：碳C以及选自氯Cl、溴Br和碘I中的至少一种卤素。本发明能够改善蚀刻孔的形状并且提高掩模选择比。
-
公开(公告)号：CN117751433A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280050973.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：提供具备包含含硅层的蚀刻对象层和包含金属的掩模的基板，所述掩模设置在蚀刻对象层上，具有由侧壁规定的开口；供给包含含金属气体的处理气体；以及从处理气体生成等离子体，在掩模的上部和侧壁形成含有金属的保护层并且经由开口对蚀刻对象层进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN114334595A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111108783.1
申请日：2021-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处理气体中包含的含氮气体的流量中的至少一个蚀刻参数，以通过副产物的附着量来调整凹部的底部的宽度。
-
公开(公告)号：CN110029325A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910022599.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。
-
公开(公告)号：CN114175214A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.051 seconds)
