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公开(公告)号：CN104752341B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310754522.6
申请日：2013-12-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/04 , H01L31/107
Abstract: 一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所述P型硅区、所述本征锗区和所述N型锗区。重掺杂P型硅区、本征锗区以及重掺杂N型锗区都可以利用CMOS工艺形成，因此形成红外雪崩二极管阵列装置的方法可以和CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN102201412B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010135706.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/788 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L29/66825
Abstract: 本发明提供了一种单栅非易失性快闪存储单元、包括该存储单元的存储器件及其制造方法，该存储单元包括半导体结构及可动开关，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。本发明提供的单栅非易失性快闪存储单元，控制电路简单，制造成本低，可靠性高，功耗低，效率高。
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公开(公告)号：CN102419475A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110434098.8
申请日：2011-12-21
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 一种MEMS光阀及其制造方法、具有该MEMS光阀的显示装置，MEMS光阀包括：层叠放置的固定光栅、第一可动光栅和第二可动光栅；第一电极，其与所述第一可动光栅相连；第二电极，其与所述第二可动光栅相连；第二电极与第一电极相对设置，当第一电极和第二电极带异种电荷时，第一电极和第二电极相向移动吸合，则带动第一可动光栅和第二可动光栅相向移动，使得固定光栅透光或者不透光。本技术方案可以加快固定光栅的透光、遮光速度，从而减少了实现光阀透光和不透光状态之间转换所需第一可动光栅和第二可动光栅移动的里程，降低光阀状态转换所需的功耗，提高转换的速度。
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公开(公告)号：CN107770706A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610696309.8
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种麦克风传感器及其制备方法，通过将所述第一基底和第二基底进行键合形成空腔，然后在所述第二基底背离所述第一基底的一面形成背面开口，所述背面开口与所述声学孔导通，以实现MEMS结构的形成，所述麦克风传感器可以在现有的晶圆厂可以完成，无需特殊的仪器及材料，制备方法简单，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN104752340A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310754379.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 一种雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，雪崩光电二极管阵列装置的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底正面形成雪崩光电二极管阵列；在相邻两雪崩光电二极管中，在至少其中一个雪崩光电二极管的周围形成环绕该雪崩光电二极管的隔离环，所述隔离环的深度大于所述雪崩光电二极管的深度，所述隔离环起到绝缘相邻两雪崩光电二极管的作用；先形成所述雪崩光电二极管阵列，再形成所述隔离环；或者，先形成隔离环，再形成所述雪崩光电二极管阵列。由于有该隔离环的存在，可以将雪崩光电二极管阵列贴合在具有CMOS控制电路的基底上，解决现有技术中在具有CMOS控制电路的基底上形成雪崩光电二极管阵列方法繁琐的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051337A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410168052.X
申请日：2014-04-24
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L22/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/16147 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81002 , H01L2224/811 , H01L2224/83121 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83868 , H01L2224/83871 , H01L2224/83874 , H01L2224/92 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01005 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种集成电路芯片立体堆叠系统集成封装的制造方法和测试方法，所述制造方法包括：第一裸芯片的表面边界处的第一互连引线焊盘表面裸露；第二裸芯片的表面边界处的第二互连引线焊盘表面裸露；将第二裸芯片表面上的第二介电质层与第一裸芯片表面上的第一介电质层键合；将键合有第二裸芯片的第一半导体晶圆进行电镀，使电镀体从第二裸芯的边界纵向填充所述空腔，形成使第一互连引线焊盘和第二互连引线焊盘上下对应互连的电镀电学互连体。本发明的集成电路芯片立体堆叠系统集成封装的制造方法与测试方法，实现系统集成封装、电学互连和系统测试的晶圆化，具有工艺简单、集成度高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN103837979A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310255976.9
申请日：2013-06-25
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00539 , G02B7/08 , G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种基于MEMS的焦距调整装置及其制备方法。基于MEMS的焦距调整装置包括一个可变形透镜；多组导电变形横梁和导电柱，每组中每条导电变形横梁与相邻的导电柱相对应，导电变形横梁和导电柱相互间隔地分布在可变形透镜的周围，导电变形横梁是悬空的，导电变形横梁的内边缘与可变形透镜的外边缘固定粘结；一个或多个固定件，导电变形横梁的外边缘与固定件相固接，导电柱与固定件相固接且保持静止；利用每组中导电变形横梁与导电柱之间的静电力使得可变形透镜被拉伸同时旋转，从而可变形透镜的表面曲率及焦距发生改变。本发明的微机电系统能够实现电制动调焦，体积小、功耗低、制造成本低。
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公开(公告)号：CN102569328A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210071907.8
申请日：2012-03-16
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14665
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制作方法及感光成像装置，所述半导体器件的制作方法，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的第二器件。利用上述方法形成的半导体器件，能够明显提高第一器件层与第二器件层的对准精度。
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公开(公告)号：CN103837980B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310256764.2
申请日：2013-06-25
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
CPC classification number: H04N5/2254 , B81B7/02 , G02B5/005 , G03B9/02 , H04N5/2253 , H04N5/2353
Abstract: 本发明涉及一种基于MEMS的光圈调整装置及其制备方法。基于MEMS的光圈调整装置包括一个不透明的可变形光圈环；多组导电变形横梁和导电柱，每组中每条导电变形横梁与相邻的导电柱相对应，导电变形横梁和导电柱相互间隔地分布在可变形透镜的周围，导电变形横梁是悬空的，导电变形横梁的内边缘与可变形透镜的外边缘固定粘结；一个或多个固定件，导电变形横梁的外边缘与固定件相固接，导电柱与固定件相固接且保持静止；利用每组中导电变形横梁与导电柱之间的静电力使得可变形光圈环被拉伸同时旋转，从而可变形光圈环的内孔面积发生改变。本发明的微机电系统能够实现电制动调整光圈，体积小、功耗低、制造成本低。
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公开(公告)号：CN102923636B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210425466.7
申请日：2012-10-30
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。本发明所提供的半导体结构包括基底和形成于所述基底上的介质层，所述介质层包含位于第一区域的第一介质及位于第二区域的第二介质，所述第一介质包围所述第二介质并与所述第二介质相接而形成相接界面，所述第一介质和/或所述第二介质内形成有保护带。由于在介质内形成有保护带，保护带可释放和消除介质在相接界面附近的应力，防止第一介质与第二介质在相接界面处出现剥离、破裂或者断裂的现象，解决了上述半导体结构为基础的MEMS组件因出现上述现象而坏掉的问题。
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