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公开(公告)号：CN103091007A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210207074.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0264 , G01L9/0048 , G01L9/0051
Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117917765A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311334031.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/14 , H02P27/08 , H02M7/5387 , H02M7/5395
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。对半导体装置的生产成本增高进行抑制，并且实现可靠性的提高及延长寿命。半导体装置(100)具有：半导体元件(41)；上表面电极，其形成于该半导体元件(41)的上表面；以及以铜为主成分的导电性金属板(22)，其接合于半导体元件(41)的上表面电极之上。导电性金属板(22)以铜为主成分，与半导体元件(41)的上表面电极之上进行固相扩散接合。
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公开(公告)号：CN102577629B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN102577629A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080038772.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32816
Abstract: 一种等离子体生成装置，对处理对象物照射在连接了电源的第1电极与和所述第1电极相向配置且接地的第2电极的电极间间隙中在100Pa以上大气压以下的气压之下所生成的等离子体，其中，所述第1电极是隔着在不与所述第2电极相向的面处设置的固体电介体而被接地了的导电性保持部件所保持的构造，在所述固体电介体的表面之中，在与所述导电性保持部件接触的规定范围的面和不与所述导电性保持部件接触的规定范围的面中连续地设置有导电膜。
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公开(公告)号：CN104838493A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380062029.6
申请日：2013-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05K1/0203 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K7/2039 , H05K7/209 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/2076
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率模块，其能够抑制因散热基板向散热片的固定而产生的树脂壳体的变形，能够防止填充到树脂壳体内的树脂产生裂纹。在本发明的功率模块中，在端部设置有倾斜部的散热基板(20)搭载功率半导体元件(4)，配置成将该功率半导体元件(4)包围并使树脂壳体(6)与散热基板(20)相接，将散热片(10)配置成与散热基板(20)的功率半导体元件(4)的搭载面的相反面侧相接，并具有与散热基板(20)的倾斜部相接而将散热基板(20)按压于散热片(10)的按压机构(13)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103091007B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210207074.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0264 , G01L9/0048 , G01L9/0051
Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104838493B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380062029.6
申请日：2013-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05K1/0203 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K7/2039 , H05K7/209 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/2076
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率模块，其能够抑制因散热基板向散热片的固定而产生的树脂壳体的变形，能够防止填充到树脂壳体内的树脂产生裂纹。在本发明的功率模块中，在端部设置有倾斜部的散热基板(20)搭载功率半导体元件(4)，配置成将该功率半导体元件(4)包围并使树脂壳体(6)与散热基板(20)相接，将散热片(10)配置成与散热基板(20)的功率半导体元件(4)的搭载面的相反面侧相接，并具有与散热基板(20)的倾斜部相接而将散热基板(20)按压于散热片(10)的按压机构(13)。
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公开(公告)号：CN102243125B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110008491.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B3/0078 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。
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公开(公告)号：CN102243125A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110008491.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B3/0078 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。
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公开(公告)号：CN101273255B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680035358.1
申请日：2006-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
Abstract: 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。
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