公开(公告)号：CN110854028B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

公开(公告)号：CN114446896A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111279642.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  陈华日 ,  洪钟波

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体封装，包括：具有下半导体衬底和在下半导体衬底的顶表面上的上焊盘的下半导体芯片；堆叠在下半导体芯片上的上半导体芯片，上半导体芯片包括上半导体衬底和在上半导体衬底的底表面上的焊料凸块；以及在下半导体芯片和上半导体芯片之间的固化层，固化层包括与上半导体芯片相邻的第一固化层，以及在第一固化层和下半导体衬底的顶表面之间的第二固化层，第一固化层包括第一光固化剂，第二固化层包括第一热固化剂。

公开(公告)号：CN111092074B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H10D80/30 ,  H10B80/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。

公开(公告)号：CN113937050A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110405162.3

申请日：2021-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  李铣浩 ,  金永锡

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/30

Abstract: 公开了一种处理带。所述处理带可以包括：基体层；粘合层，设置在基体层上；保护剥离膜，位于粘合层上；以及第一剥离层，置于粘合层与保护剥离膜之间。第一剥离层可以包括有机硅类材料并且可以是不可光固化的。

公开(公告)号：CN115497897A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210628354.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪钟波 ,  陈华日 ,  朴商植

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了半导体封装件。半导体封装件包括位于第一裸片与第二裸片之间的连接端子。第一裸片具有信号区域和外围区域，并且在外围区域上包括第一过孔。第二裸片位于第一裸片上并且在与第一过孔对应的位置上具有第二过孔。连接端子将第二过孔连接到第一过孔。外围区域包括与第一裸片的拐角相邻的第一区域和与第一裸片的侧表面相邻的第二区域。连接端子包括位于第一区域上的第一连接端子和位于第二区域上的第二连接端子。在第一区域上的每单位面积的第一连接端子的面积的总和大于在多个第二区域上的每单位面积的第二连接端子的面积的总和。

公开(公告)号：CN115954336A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202210849832.5

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  高知韩

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/373 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装，包括下半导体芯片和在垂直于下半导体芯片的顶表面的第一方向上在下半导体芯片上堆叠的半导体芯片。连接凸块位于下半导体芯片与最下面的半导体芯片之间以及半导体芯片之间。保护层覆盖每个连接凸块的侧表面。模制层位于下半导体芯片上并且覆盖半导体芯片的侧表面。模制层在最下面的半导体芯片与下半导体芯片之间以及在半导体芯片之间延伸。保护层位于模制层与每个连接凸块的侧表面之间。

公开(公告)号：CN110875282A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910480913.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  高知韩 ,  金吉洙 ,  金永锡 ,  李政泌 ,  陈华日 ,  邢秀祯

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装可包括：第一半导体芯片，位于布线衬底上并电连接到所述布线衬底；中间层，位于所述第一半导体芯片上且覆盖所述第一半导体芯片的整个表面；第二半导体芯片，位于所述中间层上并电连接到所述布线衬底；模制层，位于所述布线衬底上并覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片，所述模制层包括一个或多个内表面，所述一个或多个内表面界定模制通孔孔洞，所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分；电磁屏蔽层，位于所述模制层的所述一个或多个内表面上，且还位于所述模制层的一个或多个外表面上；以及散热层，位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上，使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞。

公开(公告)号：CN115763297A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210676861.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  严明彻 ,  陈华日

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括使用粘合构件将载体基板接合到器件晶片上，其中，粘合构件包括：基膜；器件粘合膜，设置在基膜的下表面上，并接触器件晶片；以及载体粘合膜，设置在基膜的上表面上，并接触载体基板。器件粘合膜包括气体发泡剂，并且载体粘合膜可以不包括气体发泡剂。

公开(公告)号：CN111092074A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。

公开(公告)号：CN110854028A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。