公开(公告)号：CN108122987B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201711206000.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  夏尔马·迪帕克 ,  千宽永

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。

公开(公告)号：CN110349916B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910639578.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。

公开(公告)号：CN107221560B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710170062.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  M.坎托罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

公开(公告)号：CN107293492B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN108122987A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711206000.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  夏尔马·迪帕克 ,  千宽永

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN107293492A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN107689375B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。

公开(公告)号：CN108231761A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711294381.9

申请日：2017-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的第一掺杂区域和第二掺杂区域、在第一掺杂区域上的基极区域、在第二掺杂区域上的沟道区域、以及分别在基极区域和沟道区域上的第三掺杂区域和第四掺杂区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域可以在基本平行于衬底的顶表面的第一方向上隔离而不直接接触。沟道栅极结构可以在沟道区域的侧表面上。基极区域的在基本垂直于衬底的顶表面的第二方向上的厚度可以等于或大于沟道区域的厚度。

公开(公告)号：CN107689375A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。