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公开(公告)号:CN110867361B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN201910534236.6
申请日:2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元,沿向上/向下方向开口;主返回路径单元,围绕穿透单元的全部或一部分;以及辅返回路径单元,位于穿透单元与主返回路径单元之间,与主返回路径单元间隔开,并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号:CN117497387A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202310902429.9
申请日:2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体工艺装置包括限定内部区域的室壳体和位于内部区域内的多个静电卡盘。室壳体包括窗和光收集单元,光收集单元包括位于窗上的不同的位置处的第一光学系统和第二光学系统。多个第一光学拾取单元连接到第一光学系统,并且多个第二光学拾取单元连接到第二光学系统。传感器包括多个光电检测器,多个光电检测器被配置为将由多个第一光学拾取单元传输的第一光学信号和由多个第二光学拾取单元传输的第二光学信号转换为电信号。处理器被配置为利用由多个光电检测器输出的电信号来生成室壳体的内部区域的空间图像,并且基于空间图像确定室壳体的内部区域中发生电弧的位置。
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公开(公告)号:CN119626880A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202410445113.6
申请日:2024-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分,该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光,通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。
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公开(公告)号:CN115274390A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210291022.2
申请日:2022-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。
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公开(公告)号:CN110867361A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201910534236.6
申请日:2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元,沿向上/向下方向开口;主返回路径单元,围绕穿透单元的全部或一部分;以及辅返回路径单元,位于穿透单元与主返回路径单元之间,与主返回路径单元间隔开,并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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