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公开(公告)号:CN119943706A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202411470355.7
申请日:2024-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种层沉积设备包括:处理室,所述处理室被配置提供用于处理衬底的空间,所述处理室包括限定内部空间的上腔室和下腔室;衬底支撑件,所述衬底支撑件设置在所述处理室内并且被配置为支撑所述衬底;灯加热部,所述灯加热部在所述处理室外部设置在所述上腔室上方,并且包括被配置为通过所述上腔室将光照射到所述衬底上的多个光源;以及干涉薄层图案,所述干涉薄层图案设置在所述上腔室的上表面上,并且被配置为反射来自所述多个光源的光的至少一部分。
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公开(公告)号:CN115870634A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202211198019.2
申请日:2022-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/70 , H01L21/78 , B23K101/40
Abstract: 公开了一种用于切分衬底的方法和设备。该用于切分衬底的方法包括:设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度,目标高度是从目标衬底的上表面至第一改造区的距离;向包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束,并且基于致使在第一膜的与第二膜接触的上表面上形成激光束的会聚点的样本条件设置目标条件;以及根据目标条件用激光束辐射目标衬底,以在目标衬底内形成第一改造区,其中,第二膜的厚度是目标高度。
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