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公开(公告)号：CN119654057A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411296122.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开基于硫属化物的存储材料以及包括其的存储器件和电子装置。所述基于硫属化物的存储材料可包括具有由XaY’bSec表示的组成的三元半导体化合物，其中所述基于硫属化物的存储材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，并且所述基于硫属化物的存储材料的阈值电压可根据施加的电压的极性和强度而改变。在XaY’bSec中，X≠Y，a+b+c＝1，a>0.12，b>0.18，c≥0.4，并且X和Y’独立地可为In、Sb、Ga、Sn、Al、Ge、Si、和P的不同者。所述存储器件可包括所述基于硫属化物的存储材料。所述电子装置可包括所述存储器件。
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公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
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公开(公告)号：CN112713208A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN1975956A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136623.7
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H57/00 , H01L41/094 , H01L41/314 , H01L41/33
Abstract: 本发明涉及一种压电射频(RF)微机电系统(MEMS)装置及其制造方法，其中RF MEMS装置基于压电效应以低压向上驱动。所述压电RF MEMS装置包括：提供有RF输出信号线的上基板；设置于RF输出信号线下的压电致动器；和提供有空腔的下基板，从而压电致动器的一端固定到下基板且其另一端可移动且与上和下基板分开，其中压电致动器提供有在其上的RF输入信号线，且接触焊盘被提供以当压电致动器被向上驱动时将RF输出信号线与RF输入信号线连接。制造压电RF MEMS装置的方法包括：提供包括RF输出信号线的上基板；提供包括压电致动器的下基板，压电致动器具有对应于RF输出信号线的RF输入信号线；且组装上基板和下基板。
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公开(公告)号：CN111323863B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910579002.3
申请日：2019-06-28
Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111323863A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910579002.3
申请日：2019-06-28
Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
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公开(公告)号：CN103579043B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310124248.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25D17/00 , C25F5/00 , C25F7/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
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公开(公告)号：CN103579310A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310073946.6
申请日：2013-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
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公开(公告)号：CN103227103A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210497438.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
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