公开(公告)号：CN106977673B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN107064564B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

公开(公告)号：CN1790161A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510125198.7

申请日：2005-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  姜律 ,  柳万馨 ,  李时镛 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  C08F38/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供包括具有sp3碳主架的聚合物的聚合薄膜，sp3碳主架包括四面体中心原子。还提供了形成该聚合薄膜的方法、包括该聚合薄膜的硬掩膜以及使用该聚合薄膜形成精细图形的方法。

公开(公告)号：CN101572226B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910134899.5

申请日：2009-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  李昔柱 ,  李重泫 ,  李时镛

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

公开(公告)号：CN101546693B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810149291.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南勉 ,  宋永勋 ,  金明哲 ,  朴荣周 ,  李时镛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法，包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构，并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构，并且构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物，并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成，其具有基本相同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN100504621C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510009433.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承铉 ,  裵恩美 ,  崔百洵 ,  全相文 ,  金大中 ,  尹广燮 ,  朴相圭 ,  金载昊 ,  李时镛 ,  金京美 ,  尹汝荣

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯或其混合物。

公开(公告)号：CN107064564A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710061606.X

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李京美 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  权承哲 ,  金尚郁 ,  崔荣珠

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/28 ,  G01Q60/42 ,  H01L21/67288 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/00 ,  G01Q60/38 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

公开(公告)号：CN101572226A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910134899.5

申请日：2009-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  李昔柱 ,  李重泫 ,  李时镛

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

公开(公告)号：CN101546693A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810149291.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南勉 ,  宋永勋 ,  金明哲 ,  朴荣周 ,  李时镛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法，包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构，并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构，并且构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物，并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成，其具有基本相同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN101458461A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810183747.X

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金京泽 ,  金贤友 ,  尹东基

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。