公开(公告)号：CN106977673A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

CPC classification number: C08F293/005 ,  B82Y40/00 ,  C08F12/20 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。

公开(公告)号：CN106977673B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610831961.6

申请日：2016-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 权承哲 ,  朴贞珠 ,  李时镛 ,  金垠成 ,  李京美 ,  方畯昰 ,  禹尚勋

IPC: C08F293/00 ,  C08F220/14 ,  C08F212/14

Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段，且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。