-
公开(公告)号：CN105280813B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510423238.X
申请日：2015-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/0895 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/41725 , H01L29/41775 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L31/028 , H01L31/113 , H01L33/04 , H01L33/26 , H01L33/34 , H01L45/04 , Y02E10/547
Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN108288625B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201711443369.X
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
-
公开(公告)号：CN116230698A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211108147.3
申请日：2022-09-13
Abstract: 本发明涉及包括钙钛矿材料的介电薄膜、包括介电薄膜的电容器、和包括电容器的电子器件。介电薄膜包括如下的叠层结构体：包括至少两种II族元素的钙钛矿材料层和岩盐层，以及在所述钙钛矿材料层上并且包括至少两种II族元素的岩盐层。所述钙钛矿材料层中包括的所述至少两种II族元素的第一含量比率可与所述岩盐层中包括的所述至少两种II族元素的第二含量比率相同。
-
公开(公告)号：CN115692023A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210423342.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器、包括其的电子器件、和制造其的方法，所述电容器包括：第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的介电层；以及在所述第一薄膜电极层或所述第二薄膜电极层的至少一个和所述介电层之间的中间层，所述中间层包括与所述第一薄膜电极层、所述第二薄膜电极层、或所述介电层的至少一个相同的晶体结构类型以及与其不同的组成，所述中间层包括第一阴离子化的层、第二阴离子化的层、或第一中性层的至少一个，所述第一阴离子化的层包括单价阳离子、二价阳离子、或20或更大的原子量的三价阳离子的至少一种，所述第二阴离子化的层包括单价阳离子，和所述第一中性层包括多种三价阳离子。
-
公开(公告)号：CN106169511B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610157055.2
申请日：2016-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/101
Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108063145A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
CPC classification number: H01L27/14667 , B82Y15/00 , H01L27/14636 , H01L31/0264 , H01L31/074 , H01L27/14601 , H01L27/307
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
-
-
公开(公告)号：CN108063145B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.027 seconds)
