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公开(公告)号：CN120035210A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411090832.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/528 , H10D84/03
Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，所述衬底包括背面；鳍型有源区，所述鳍型有源区从所述衬底突出，以在所述衬底上限定沟槽区；器件隔离层，所述器件隔离层在所述沟槽区中覆盖所述鳍型有源区中的每一个鳍型有源区的侧壁；通孔电源轨，所述通孔电源轨在所述鳍型有源区之间垂直延伸穿过所述器件隔离层；以及背面电源轨，所述背面电源轨垂直延伸穿过所述衬底并且连接到所述通孔电源轨的一端，其中所述通孔电源轨包括连接到所述背面电源轨的第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，并且其中所述第一部分的两个侧壁各自包括倾斜表面，所述倾斜表面倾斜以便随着所述两个侧壁接近所述背面电源轨而更靠近所述成对的鳍型有源区。
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公开(公告)号：CN118156173A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311575670.1
申请日：2023-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种挡板检查装置，并且该挡板检查装置包括：挡板，包括被配置为接收和喷射流体的喷射表面；上容器，耦接到挡板，使得挡板的喷射表面朝下；在上容器上方的上板，支撑所述上容器；在上容器下方的下容器，远离上容器和上板；在下容器的上表面上的压力测量传感器；在下容器的下表面上的下板，支撑下容器；以及支撑件，支撑上板和下板。上容器包括流路径管，该流路径管被配置为向挡板供应流体，使得流体从挡板的喷射表面喷射。
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公开(公告)号：CN118099023A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311540119.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底处理装置，包括：处理容器，具有处理空间；衬底支撑件，被配置为支撑衬底；流体供应器，被配置为将处于超临界状态的处理流体供应给处理空间；喷头组件，被配置为扩散处理流体；第一激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的水平对齐；第二激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的竖直对齐；以及控制器，被配置为基于所测量的水平对齐和竖直对齐来校正衬底、喷头组件和处理容器之一的位置，其中，第一激光部和第二激光部被配置为在处理容器内定位，并且在衬底上方移动。
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公开(公告)号：CN117457526A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310544941.0
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底处理装置，包括：处理室，包括处理空间；衬底支撑件，被配置为在处理室中支撑衬底；排放管，布置在处理室的底壁上；排放设备，被配置为经由排放管排出处理空间中的处理流体；第一供应管，包括插入排放管中的第一部分和在排放管外部的第二部分；以及流体供应设备，被配置为经由第一供应管向处理空间供应处于超临界状态的处理流体，其中，在第一供应管的端部处的第一入口和在排放管的端部处的排放开口在处理室的中心轴上。
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公开(公告)号：CN116266036A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211545329.7
申请日：2022-12-01
Abstract: 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112071770A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010268743.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。
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公开(公告)号：CN107689374A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710600268.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/4991 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。
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公开(公告)号：CN105990445A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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公开(公告)号：CN119644683A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410801595.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 一种衬底处理装置包括：反应器，具有在其中形成的处理空间；流体供应单元，将超临界流体供应到反应器的处理空间中；以及控制器，控制反应器和流体供应单元。控制器响应于供应到反应器的超临界流体的状态是否满足设定条件来控制反应器和流体供应单元执行以下之一：通过使用超临界流体清洁处理空间、以及通过使用超临界流体干燥放置在处理空间中的衬底。
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公开(公告)号：CN119451190A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410591488.3
申请日：2024-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括正面中的鳍型有源区域和背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；接触插塞，在衬底上方；背面电力轨，至少部分地填充衬底凹陷；以及过孔电力轨，电连接到接触插塞，过孔电力轨延伸到隔离膜中，并且连接到背面电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角。
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