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公开(公告)号：CN1734766A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091348.7
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/3205 , H01L21/82
CPC classification number: H01L28/20 , H01C13/02 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L27/1203
Abstract: 本发明公开了一种电阻器元件，包括：形成在绝缘层之上的电阻器，和形成在绝缘层之上与电阻器绝缘的互补电阻器，互补电阻器并联电连接至电阻器，其中互补电阻器的电阻与电阻器的电阻互补。本发明还公开了一种包括该电阻器元件的半导体集成电路器件，和制造该电阻器元件和该半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN114068548A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110495619.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/06
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：字线，在基底上沿竖直方向延伸；沟道层，围绕字线以构造单元晶体管，并且呈具有预定水平宽度的水平环形形状；位线，沿第一水平方向设置在沟道层的一端处，并且沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸；以及单元电容器，沿第一水平方向设置在沟道层的另一端处，单元电容器包括沿竖直方向延伸的上电极层、围绕上电极层的下电极层以及设置在上电极层与下电极层之间的电容器介电层。
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公开(公告)号：CN101232022B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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公开(公告)号：CN114497055A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110695655.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一导线，在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠；第二导线，在第一方向上延伸，并且与第一导线相交；以及存储器单元，分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案，半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
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公开(公告)号：CN111179989A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911105608.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐亨源
IPC: G11C11/408 , G11C11/4074
Abstract: 公开了一种存储器设备的操作方法，包括：从外部设备顺序接收活动命令和预充电命令，在第一时间间隔期间，响应于活动命令来将第一激活电压施加到选定字线，从接收到第一活动命令的第一时间点开始经过第一时间间隔之后，将第二激活电压施加到选定字线，以及响应于预充电命令来将第一去激活电压施加到选定字线。第二激活电压低于第一激活电压且高于第一去激活电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111199975B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201911134564.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐亨源
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的多个有源区和与多个有源区电隔离的器件隔离区；栅极沟槽，延伸穿过多个有源区和器件隔离区；栅极结构，在多个有源区中的每个的栅极沟槽中延伸，并与栅极沟槽的相对侧壁接触；栅极介电膜，在多个有源区中的每个中形成在栅极沟槽与栅极结构之间；以及绝缘阻挡膜，设置在多个有源区中的每个中且位于栅极沟槽下方，与栅极沟槽的下表面间隔开，并且在栅极沟槽的延伸方向上延伸。
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公开(公告)号：CN109427789B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201810957390.X
申请日：2018-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的沟槽中。字线结构包括覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘图案。栅极电极图案在栅极绝缘图案上。第一功函数图案在栅极绝缘图案和栅极电极图案之间。第二功函数图案在第一功函数图案上，并沿栅极电极图案的侧面延伸。第一功函数图案的顶面位于在栅极电极图案的底面以下的水平处。第一功函数图案具有比第二功函数图案大的功函数。
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公开(公告)号：CN115274667A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210412399.9
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体存储器件包括：字线，在衬底上沿垂直方向延伸；半导体图案，在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面；位线，设置在所述半导体图案的第一端处；以及电容器结构，设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层，所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸，第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸，并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。
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公开(公告)号：CN109427789A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810957390.X
申请日：2018-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/4236 , H01L29/4966 , H01L29/7851 , H01L27/10814 , H01L27/10823
Abstract: 公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的沟槽中。字线结构包括覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘图案。栅极电极图案在栅极绝缘图案上。第一功函数图案在栅极绝缘图案和栅极电极图案之间。第二功函数图案在第一功函数图案上，并沿栅极电极图案的侧面延伸。第一功函数图案的顶面位于在栅极电极图案的底面以下的水平处。第一功函数图案具有比第二功函数图案大的功函数。
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公开(公告)号：CN101093855A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112138.0
申请日：2007-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66787 , H01L29/7827
Abstract: 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I－形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。
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