公开(公告)号：CN1482669A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03136040.8

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 ,  秦教英 ,  吴容哲 ,  金炫昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。

公开(公告)号：CN100499074C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN03136040.8

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 ,  秦教英 ,  吴容哲 ,  金炫昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。

公开(公告)号：CN1734766A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091348.7

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐亨源 ,  金善俊 ,  申翔圭 ,  金炫昌

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01C13/02 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种电阻器元件，包括：形成在绝缘层之上的电阻器，和形成在绝缘层之上与电阻器绝缘的互补电阻器，互补电阻器并联电连接至电阻器，其中互补电阻器的电阻与电阻器的电阻互补。本发明还公开了一种包括该电阻器元件的半导体集成电路器件，和制造该电阻器元件和该半导体集成电路器件的方法。