公开(公告)号：CN109427789B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810957390.X

申请日：2018-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐亨源 ,  李元锡 ,  赵珉熙 ,  卞贤淑

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的沟槽中。字线结构包括覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘图案。栅极电极图案在栅极绝缘图案上。第一功函数图案在栅极绝缘图案和栅极电极图案之间。第二功函数图案在第一功函数图案上，并沿栅极电极图案的侧面延伸。第一功函数图案的顶面位于在栅极电极图案的底面以下的水平处。第一功函数图案具有比第二功函数图案大的功函数。

公开(公告)号：CN109427789A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810957390.X

申请日：2018-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐亨源 ,  李元锡 ,  赵珉熙 ,  卞贤淑

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823

Abstract: 公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的沟槽中。字线结构包括覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘图案。栅极电极图案在栅极绝缘图案上。第一功函数图案在栅极绝缘图案和栅极电极图案之间。第二功函数图案在第一功函数图案上，并沿栅极电极图案的侧面延伸。第一功函数图案的顶面位于在栅极电极图案的底面以下的水平处。第一功函数图案具有比第二功函数图案大的功函数。