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公开(公告)号：CN115662991A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210585531.6
申请日：2022-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H10B12/00
Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的导电线；在导电线上的第一栅电极；在第一栅电极上通过栅极隔离绝缘层分隔开的第二栅电极；在第一栅电极的侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层在它们之间；在第一栅电极的另一侧表面上的第一源极/漏极区；第二沟道层，在第二栅电极的在与第一沟道层相反的一侧的另一侧表面上并且第二栅极绝缘层在它们之间；在第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及第三源极/漏极区，在第一沟道层上以及在第二栅电极的与第一沟道层在同一侧的侧表面上。
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公开(公告)号：CN114497055A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110695655.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一导线，在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠；第二导线，在第一方向上延伸，并且与第一导线相交；以及存储器单元，分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案，半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
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公开(公告)号：CN109841624A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811430052.7
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。
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公开(公告)号：CN115346983A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210169606.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；沟道图案，在位线上并且包括与位线接触的第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层中的每一个包括与位线平行的水平部分以及从水平部分竖直地突出的第一竖直部分和第二竖直部分；第一字线和第二字线，在第二氧化物半导体层的第一竖直部分与第二竖直部分之间并且在第二氧化物半导体层的水平部分上；以及栅介电图案，在沟道图案与第一字线和第二字线之间。第二氧化物半导体层的厚度大于第一氧化物半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN115274667A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210412399.9
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体存储器件包括：字线，在衬底上沿垂直方向延伸；半导体图案，在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面；位线，设置在所述半导体图案的第一端处；以及电容器结构，设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层，所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸，第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸，并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690239A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202011451468.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导线和与第一导线间隔开的第二导线。半导体图案设置在第一导线与第二导线之间。半导体图案包括具有第一导电类型杂质的、设置为与第一导线相邻的第一半导体图案。具有第二导电类型杂质的第二半导体图案设置为与第二导线相邻。第三半导体图案设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间。第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域。第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层。第一栅极线与第一区域交叉，并且第二栅极线与第二区域交叉。
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公开(公告)号：CN113675332A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110184630.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：磁性轨道层，所述磁性轨道层在衬底上延伸，所述磁性轨道层具有二维绒毛状的折叠结构；多个读取单元，所述多个读取单元包括多个固定层和位于所述磁性轨道层与所述多个固定层中的每个固定层之间的隧道势垒层；和多条位线，所述多条位线在所述多个读取单元中的不同的读取单元上延伸，所述多个读取单元位于所述磁性轨道层与所述多条位线中的相应的位线之间。
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公开(公告)号：CN113571525A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110452234.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578 , H01L27/11568
Abstract: 本公开提供了半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，包括第一杂质区、第二杂质区和沟道区，第一杂质区在第一方向上与基板间隔开并具有第一导电类型，第二杂质区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并且沟道区在第一杂质区和第二杂质区之间；第一导电连接线，连接到第一杂质区并在与第一方向不同的第二方向上延伸；以及第一栅极结构，在第一方向上延伸并包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，其中第一栅电极穿透沟道区，并且第一栅极绝缘膜在第一栅电极和第一半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN113224063B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110074133.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
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公开(公告)号：CN119317104A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410642689.1
申请日：2024-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了具有改进的集成度和电特性的半导体存储装置，包括：位线，在衬底上在第一方向上延伸；沟道结构，在位线上并且包括在第二方向上延伸的第一垂直部分和在第一方向上与第一垂直部分间隔开并在第二方向上延伸的第二垂直部分；背栅电极，在沟道结构的至少一侧上在位线上并在第二方向上延伸；背栅极绝缘膜，在背栅电极和沟道结构之间；背栅极覆盖膜，在背栅电极和背栅极绝缘膜上；第一字线，在第一垂直部分和第二垂直部分之间并在第二方向上延伸；第二字线，在第一垂直部分和第二垂直部分之间、在第二方向上延伸并在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，在第一垂直部分和第二垂直部分上连接到第一垂直部分和第二垂直部分。
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