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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN115346983A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210169606.2

申请日：2022-02-23

Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团

Inventor： 郑在景 , 柳民泰 , 薛玹珠 , 柳成原 , 李元锡 , 赵珉熙 , 许栽硕

IPC: H01L27/108 , H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；沟道图案，在位线上并且包括与位线接触的第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层中的每一个包括与位线平行的水平部分以及从水平部分竖直地突出的第一竖直部分和第二竖直部分；第一字线和第二字线，在第二氧化物半导体层的第一竖直部分与第二竖直部分之间并且在第二氧化物半导体层的水平部分上；以及栅介电图案，在沟道图案与第一字线和第二字线之间。第二氧化物半导体层的厚度大于第一氧化物半导体层的厚度。

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