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公开(公告)号：CN1897305A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105583.X
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L28/91 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。
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公开(公告)号：CN101232022B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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公开(公告)号：CN1897305B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610105583.X
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L28/91 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 垂直沟道半导体衬底包括具有柱子的半导体衬底，该柱子具有上表面。绝缘栅电极围绕柱子的外围。绝缘栅电极在比柱子的上表面低的垂直水平面上具有上表面，以垂直地将绝缘栅电极与柱子的上表面分隔开。第一源区/漏区在与柱子相邻的衬底中。第二源区/漏区设置在柱子的上部区域中，包括柱子的上表面。接触焊盘接触柱子的整个上表面，以电连接到第二源区/漏区。
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公开(公告)号：CN101232022A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810004580.6
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/10885 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明提供一种包括阻挡绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个有源区，其中有源区由器件隔离层定义且沿第一方向设置；多个位线电极，连接到所述有源区，其中每个所述位线电极沿第二方向延伸；以及多个第一阻挡绝缘层。每个所述第一阻挡绝缘层沿第三方向延伸，所述第一阻挡绝缘层中的至少一个设置于所述器件隔离层位于所述有源区中的两个之间的对应第一部分上，所述两个有源区沿第一方向相邻，所述第一方向与所述第二方向彼此不同。
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