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公开(公告)号：CN109216365B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201810729739.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/20
Abstract: 本公开提供一种半导体器件，其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。
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公开(公告)号：CN107919362B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710863071.8
申请日：2017-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极；下半导体图案，从衬底的顶部突出；竖直绝缘图案，从衬底沿竖直方向延伸并穿透堆叠结构；和竖直沟道图案，在竖直绝缘图案的内表面上并且接触下半导体图案，其中下半导体图案的上部包括具有曲面形外形的凹入区域，并且在凹入区域中，竖直沟道图案的下部的外表面沿着凹入区域的曲面接触下半导体图案。
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公开(公告)号：CN101312216A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810142821.3
申请日：2008-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42348 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多个纳米点由具有第二带隙能量的第二材料形成，第二带隙能量低于所述第一带隙能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663682B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201480078969.9
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157
Abstract: 本发明构思提供了制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的薄层结构；形成贯穿薄层结构并暴露基底的通孔；形成覆盖通孔的内侧壁并部分填充通孔的半导体层；使半导体层的第一部分氧化以形成第一绝缘层；以及将氧原子注入到半导体层的第二部分中。第二部分的氧原子浓度比第一绝缘层的氧原子浓度低。利用氧化工艺同时执行使第一部分氧化的步骤和将氧原子注入到第二部分中的步骤。
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公开(公告)号：CN109494227A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811040526.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。
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公开(公告)号：CN109216365A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810729739.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
Abstract: 本公开提供一种半导体器件，其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。
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公开(公告)号：CN107919362A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710863071.8
申请日：2017-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/42364 , H01L27/11565 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极；下半导体图案，从衬底的顶部突出；竖直绝缘图案，从衬底沿竖直方向延伸并穿透堆叠结构；和竖直沟道图案，在竖直绝缘图案的内表面上并且接触下半导体图案，其中下半导体图案的上部包括具有曲面形外形的凹入区域，并且在凹入区域中，竖直沟道图案的下部的外表面沿着凹入区域的曲面接触下半导体图案。
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公开(公告)号：CN106663682A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480078969.9
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明构思提供了制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的薄层结构；形成贯穿薄层结构并暴露基底的通孔；形成覆盖通孔的内侧壁并部分填充通孔的半导体层；使半导体层的第一部分氧化以形成第一绝缘层；以及将氧原子注入到半导体层的第二部分中。第二部分的氧原子浓度比第一绝缘层的氧原子浓度低。利用氧化工艺同时执行使第一部分氧化的步骤和将氧原子注入到第二部分中的步骤。
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