公开(公告)号：CN106663682B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201480078969.9

申请日：2014-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢镇台 ,  金斐悟 ,  辛秀珍 ,  杨大光 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/1157

Abstract: 本发明构思提供了制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的薄层结构；形成贯穿薄层结构并暴露基底的通孔；形成覆盖通孔的内侧壁并部分填充通孔的半导体层；使半导体层的第一部分氧化以形成第一绝缘层；以及将氧原子注入到半导体层的第二部分中。第二部分的氧原子浓度比第一绝缘层的氧原子浓度低。利用氧化工艺同时执行使第一部分氧化的步骤和将氧原子注入到第二部分中的步骤。

公开(公告)号：CN106663682A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480078969.9

申请日：2014-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢镇台 ,  金斐悟 ,  辛秀珍 ,  杨大光 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明构思提供了制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的薄层结构；形成贯穿薄层结构并暴露基底的通孔；形成覆盖通孔的内侧壁并部分填充通孔的半导体层；使半导体层的第一部分氧化以形成第一绝缘层；以及将氧原子注入到半导体层的第二部分中。第二部分的氧原子浓度比第一绝缘层的氧原子浓度低。利用氧化工艺同时执行使第一部分氧化的步骤和将氧原子注入到第二部分中的步骤。

公开(公告)号：CN106024794B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610187524.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南宫铉 ,  金东谦 ,  金廷奂 ,  池正根 ,  杨大光 ,  柳志晚

IPC: H01L27/11582 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。

公开(公告)号：CN106024794A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610187524.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南宫铉 ,  金东谦 ,  金廷奂 ,  池正根 ,  杨大光 ,  柳志晚

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度；以及控制栅极上的含金属栅极。