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公开(公告)号：CN109309118B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN106024850B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510358385.3
申请日：2015-06-25
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。
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公开(公告)号：CN111785694B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN108987456B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201710437128.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
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公开(公告)号：CN109560123A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
CPC classification number: H01L29/32 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785693B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910270551.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109560123B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201710888719.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/32
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一传导类型；第二半导体区域，其具有第二传导类型。该第一半导体区域配置在该第二半导体区域内，在该第二半导体区域中形成有多个晶体缺陷，并且该第一半导体区域的至少一部分被多个晶体缺陷围绕。因此，可以考虑到侧向和纵向的电荷载体(电子和空穴)的重新组合，并且可以充分地减少半导体器件的切换时间。
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公开(公告)号：CN106024850A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510358385.3
申请日：2015-06-25
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/6606 , H01L29/872 , H01L29/0603 , H01L29/456
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。
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公开(公告)号：CN109216434A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710540831.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L29/1608 , H01L29/06 , H01L21/02005 , H01L21/02008
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。
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公开(公告)号：CN102420196A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110287851.5
申请日：2011-09-26
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L2224/32245 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体模块的设计方法、半导体模块。可低成本地得到安装有采用化合物半导体或金刚石等的高性能功率半导体元件的半导体模块。在该半导体模块(10)中，在单个引线框(11)上，以纵横方向各排列2个的方式安装有同一规格的4个二极管芯片(半导体芯片)(12)。为了低成本地得到该半导体模块(10)，需要同时增高二极管芯片(12)的成品率，并且减少无用区域。因此，作为用于对此进行决定的指数，采用芯片成品率(YDie)与活性区域面积比(RA)的乘积是有效的。如果根据所使用的晶片的结晶缺陷密度，设定使得该指数变高、即接近峰值的芯片尺寸，则能够以高成品率得到半导体模块(10)。
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