公开(公告)号：CN106024850B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510358385.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川口博子 ,  吉江徹 ,  熊仓弘道 ,  大久保秀一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。

公开(公告)号：CN106024850A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510358385.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川口博子 ,  吉江徹 ,  熊仓弘道 ,  大久保秀一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。